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提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 electrostatic 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
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hip6601a, hip6603a, hip6604
同步的 调整的 buck 场效应晶体管
驱动器
这 hip6601a, hip6603a 和 hip6604 是 高 频率,
双 场效应晶体管 驱动器 specifically 设计 至 驱动 二
电源 n-频道 mosfets 在 一个 同步的 调整的 buck
转换器 topology. 这些 驱动器 联合的 和 一个 hip63xx
或者 一个 isl65xx multi-阶段 buck pwm 控制 表格 一个
完全 核心-电压 调整器 解决方案 为 先进的
微处理器.
这 hip6601a 驱动 这 更小的 门 在 一个 同步的
整流器 至 12v, 当 这 upper 门 能 是 independently
驱动 在 一个 范围 从 5v 至 12v. 这 hip6603a 驱动
两个都 upper 和 更小的 门 在 一个 范围 的 5v 至 12v. 这个
驱动-电压 flexibility provides 这 有利因素 的 optimizing
产品 involving trade-offs 在 切换 losses
和 传导 losses. 这 hip6604 能 是 配置 作
也 一个 hip6601a 或者 一个 hip6603a.
这 输出 驱动器 在 这 hip6601a, hip6603a 和 hip6604
有 这 capacity 至 效率高的ly 转变 电源 mosfets 在
发生率 向上 至 2mhz. 各自 驱动器 是 有能力 的 驱动 一个
3000pf 加载 和 一个 30ns 传播 延迟 和 50ns
转变 时间. 这些 产品 执行 bootstrapping 在
这 upper 门 和 仅有的 一个 external 电容 必需的. 这个
减少 implementation complexity 和 准许 这 使用 的
高等级的 效能, 费用 有效的, n-频道 mosfets.
adaptive shoot-通过 保护 是 整体的 至 阻止
两个都 mosfets 从 组织 同时发生地.
特性
• 驱动 二 n-频道 mosfets
• adaptive shoot-通过 保护
• 内部的 自举 设备
• 支持 高 切换 频率
- 快 输出 上升 时间
- 传播 延迟 30ns
• 小 8 含铅的 soic 和epsoic 和 16 含铅的 qfn
包装
• 双 门-驱动 电压为 最优的 效率
• 三-状态 输入 为 输出 平台 关闭
• 供应 下面 电压 保护
产品
• 核心 电压 供应 为 在电话 pentium® iii, amd®
athlon™ 微处理器
• 高 频率 低 profile 直流-直流 转换器
• 高 电流 低 电压 直流-直流 转换器
related literature
• 技术的 brief tb363 “guidelines 为 处理 和
处理 潮气 sensitive 表面 挂载 设备
(smds)”
Pinouts
hip6601acb, hip6603acb (soic)
hip6601ecb, hip6603ecb (epsoic)
顶 视图
hip6604 (qfn)
顶 视图
订货 信息
部分 号码
温度 范围
(
o
c) 包装
pkg.
dwg. #
HIP6601ACB 0 至 85 8 ld soic m8.15
HIP6603ACB 0 至 85 8 ld soic m8.15
hip6601acb-t 8 ld soic 录音带 和 卷轴
hip6603acb-t 8 ld soic 录音带 和 卷轴
HIP6601ECB 0 至 85 8 ld epsoic m8.15b
HIP6603ECB 0 至 85 8 ld epsoic m8.15b
hip6601ecb-t 8 ld epsoic 录音带 和 卷轴
hip6603ecb-t 8 ld epsoic 录音带 和 卷轴
HIP6604CR 0 至 85
16 ld 4x4 qfn
l16.4x4
hip6604cr-t 16 ld 4x4 qfn 录音带 和 卷轴
UGATE
激励
PWM
地
1
2
3
4
8
7
6
5
阶段
PVCC
VCC
LGATE
1
3
4
15
NC
激励
PWM
地
UGATE
NC
阶段
NC
16 14 13
2
12
10
9
11
6578
NC
PVCC
LVCC
VCC
PGND
NC
LGATE
NC
数据 薄板 8月 2004
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0
1
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