最终
Publication#
11560
rev:
G
amendment/
+2
公布 日期:
january 1998
Am28F256
256 kilobit (32 k x 8-位)
cmos 12.0 volt, 大(量) 擦掉 flash 记忆
distinctive 特性
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高 效能
— 70 ns 最大 进入 时间
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cmos 低 电源 消耗量
— 30 毫安 最大 起作用的 电流
— 100 µa 最大 备用物品 电流
— 非 数据 保持 电源 消耗量
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兼容 和 电子元件工业联合会-标准 字节-宽
32-管脚 非易失存储器 pinouts
— 32-管脚 pdip
— 32-管脚 plcc
— 32-管脚 tsop
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10,000 写/擦掉 循环 最小
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写 和 擦掉 电压 12.0 v
±
5%
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获得-向上 保护 至 100 毫安
从 –1 v 至 v
CC
+1 v
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Flasherase
电的 大(量) 碎片-擦掉
— 一个 第二 典型 碎片-擦掉
■
flashrite 程序编制
— 10 µs 典型 字节-程序
— 0.5 第二 典型 碎片 程序
■
command 寄存器 architecture 为
微处理器/微控制器 兼容
写 接口
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在-碎片 地址 和 数据 latches
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先进的 cmos flash 记忆 技术
— 低 费用 单独的 晶体管 记忆 cell
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自动 写/擦掉 脉冲波 停止 计时器
一般 描述
这 am28f256 是 一个 256 k flash 记忆 有组织的 作
32 kbytes 的 8 位 各自. amd’s flash memories 提供
这 大多数 费用-有效的 和 可依靠的 读/写 非-
易变的 随机的 进入 记忆. 这 am28f256 是
packaged 在 32-管脚 pdip, plcc, 和 tsop 版本. 它
是 设计 至 是 reprogrammed 和 erased 在-系统
或者 在 标准 非易失存储器 programmers. 这 am28f256
是 erased 当 运输 从 这 工厂.
这 标准 am28f256 提供 进入 时间 作 快 作
70 ns, 准许 运作 的 高-速 microproces-
sors 没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention,
这 am28f256 有 独立的 碎片 使能 (ce
#
) 和
输出 使能 (oe
#
) 控制.
amd’s flash memories augment 非易失存储器 符合实际
和 在-电路 电的 erasure 和 程序编制. 这
am28f256 使用 一个 command 寄存器 至 manage 这个
符合实际, 当 维持 一个 标准 电子元件工业联合会
flash 标准 32-管脚 引脚. 这 command 寄存器
准许 为 100% ttl 水平的 控制 输入 和 fixed
电源 供应 水平 在 擦掉 和 程序编制.
amd’s flash 技术 reliably stores 记忆
内容 甚至 之后 10,000 擦掉 和 程序 循环.
这 amd cell 是 设计 至 优化 这 擦掉 和
程序编制 mechanisms. 在 增加, 这 combina-
tion 的 先进的 tunnel oxide 处理 和 低
内部的 electric 地方 为 擦掉 和 程序编制
行动 生产 可依靠的 cycling. 这 am28f256
使用 一个 12.0V
±
5% v
PP
高 电压 输入 至 执行
这 flasherase
和 flashrite
algorithms.
这 最高的 程度 的 获得-向上 保护 是 达到
和 amd’s 专卖的 非-epi 处理. 获得-向上
保护 是 提供 为 压力 向上 至 100 milliamps
在 地址 和 数据 管脚 从 –1 v 至 v
CC
+1 v.
这 am28f256 是 字节 可编程序的 使用 10 µs
程序编制 脉冲 在 一致 和 amd’s
flashrite 程序编制 algorithm. 这 典型 房间
温度 程序编制 时间 的 这 am28f256 是 一个
half 一个 第二. 这 全部 碎片 是 大(量) erased 使用
10 ms 擦掉 脉冲 符合 至 amd’s flasherase
alrogithm. 典型 erasure 在 房间 温度 是
accomplished 在 较少 比 一个 第二. 这 windowed
包装 和 这 15-20 分钟 必需的 为 非易失存储器
erasure 使用 过激-violet 明亮的 是 eliminated.
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