mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管
RD60HUF1
硅 场效应晶体管 电源 晶体管 520mhz,60w
RD60HUF1
mitsubishi electric
rev.1 14 将. 2003
1/7
静电的 敏感的 设备
注意到 处理 预防措施
描述
rd60huf1 是 一个 mos 场效应晶体管 类型 晶体管 specifically
设计 为 uhf 高 电源 放大器 产品.
特性
•high 电源 和 高 增益:
pout>60w, gp>7.7db @vdd=12.5v,f=520mhz
•high 效率: 55%typ.在 uhf 带宽
应用
为 输出 平台 的 高 电源 放大器 在 uhf
带宽 mobile 无线电 sets.
绝对 最大 比率
(tc=25
°C
除非 otherwise 指出)
标识 参数 情况 比率 单位
VDSS 流 tosource 电压 30 V
VGSS gateto 源 电压 +/-20 V
pch 频道 消耗 Tc=25
°C
150 w
tj 接合面 温度 175
°C
Tstg 存储 温度 -40 至 +175
°C
rth-c 热的 阻抗 接合面 至 情况 1.0
°c/w
便条 1: 在之上 参数 是 有保证的 independently.
电的 特性
(tc=25
°C
, 除非 otherwise 指出)
标识 参数 情况 限制 单位
最小值 典型值 最大值
I
DSS
zerogate 电压 流 电流 V
DS
=17v, v
GS
=0v - - 400 ua
I
GSS
门 至 源 leak 电流 V
GS
=10v, v
DS
=0v - - 1 ua
V
TH
门 门槛 电压 V
DS
=12v, i
DS
=1ma 1.1 1.45 1.8 v
Pout 输出 电源 f=520mhz ,v
DD
=12.5v 60 65 - w
η
D
流 效率 Pin=10W, idq=2.5a 50 55 - %
加载 vswr 容忍 V
DD
=15.2v,po=60w(pincontrol)
idq=2.5a,zg=50
Ω
加载 vswr=20:1(所有 阶段)
非 destroy -
便条 : 在之上 参数 , 比率 , 限制 和 情况 是 主题 至 改变.
外形 绘制ING
10.0+/-0.3
4-c2
3.3+/-0.2
r1.6+/-0.15
18.0+/-0.3
24.0+/-0.6
3
5.0+/-0.3
25.0+/-0.3
7.0+/-0.5
11.0+/-0.3
2
1
+0.05
-0.01
0.1
6.2+/-0.7
4.5+/-0.7
管脚
1.流
2.源
3.门
单位:mm
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