1/7
初步的 数据
六月 2002
STW18NB40
STH18NB40FI
n-频道 400v - 0.19
Ω
- 18.4 一个 至-247/isowatt218
powermesh™ 场效应晶体管
(1)i
SD
<18.4a, di/dt<200a/µ, v
DD
<v
(br)dss
,tj<t
JMAX
内部的 图式 图解
■
典型 r
DS
(在) = 0.19
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% avalanche 测试
■
非常 低 intrinsic capacitances
■
门 承担 使减少到最低限度
描述
使用 这 最新的 高 电压 mesh overlay
™
处理, 意法半导体 有 设计 一个 ad-
vanced 家族 的 电源 mosfets 和 优秀的
performances. 这 新 专利权 pending strip 布局
结合 和 这 公司’s proprieraty 边缘 termi-
nation 结构, 给 这 最低 r
ds(在)
每 范围,
exceptional avalanche 和 dv/dt 能力 和
unrivalled 门 承担 和 切换 characteris-
tics.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
swith 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 welding
设备 和 uninterruptible
电源 供应 和 发动机 驱动
绝对 最大 比率
(•)脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STW18NB40
STH18NB40FI
400 v
400 v
< 0.26
Ω
< 0.26
Ω
18.4 一个
12.4 一个
标识 参数 值 单位
STW18NB40 STH18NB40FI
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
400 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
400 V
V
GS
门- 源 电压
±30 V
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 25°c
18.4 12.4 一个
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 100°c
11.6 7.8 一个
I
DM
(
l
)
流 电流 (搏动) 73.6 73.6 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
190 80 W
减额 因素 1.52 0.64 w/°c
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4.5 4.5 v/ns
V
ISO
绝缘 承受 电压 (直流) - 2000 V
T
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
至-247
ISOWATT218
1
2
3
1
2
3
: 点此下载
