2n5196/5197/5198/5199
vishay siliconix
文档 号码: 70252
s-04031—rev. d, 04-六月-01
www.vishay.com
8-1
大而单一的 n-频道 jfet duals
部分 号码 V
gs(止)
(v) V
(br)gss
最小值 (v) g
fs
最小值 (ms) I
G
最大值 (pa)
V
GS1
– v
GS2
最大值 (mv)
2N5196 –0.7 至 –4 –50 1 –15 5
2N5197 –0.7 至 –4 –50 1 –15 5
2N5198 –0.7 至 –4 –50 1 –15 10
2N5199 –0.7 至 –4 –50 1 –15 15
大而单一的 设计
高 回转 比率
低 补偿/逐渐变化 电压
低 门 泄漏: 5 pa
低 噪音
高 cmrr: 100 db
tight 差别的 相一致 vs. 电流
改进 运算 放大 速, 安排好 时间
精度
最小 输入 错误/修整 必要条件
微不足道的 信号 丧失/错误 电压
高 系统 敏锐的
最小 错误 和 大 输入 信号
wideband 差别的 放大器
高-速, 温度-补偿,
单独的-结束 输入 放大器
高 速 comparators
阻抗 转换器
这2n5196/5197/5198/5199 jfet duals 是 设计 为
高-效能 差别的 放大器 为 一个宽 范围 的
精确 测试 仪器 产品. 这个 序列
特性tightly matched 规格, 低 门 泄漏 为 精度,
和 宽 动态 范围 和 i
G
有保证的 在 v
DG
= 20 v.
这 hermetically-sealed 至-71 包装 是 有 和 全部
军队 处理 (看 军队 信息 和 这
2n5545/5546/5547jantx/jantxv数据 薄板).
为 类似的 产品 看 这 低-噪音 u/sst401 序列, 这
高-增益 2n5911/5912, 和 这 低-泄漏 u421/423 数据
薄板.
至-71
顶 视图
G
1
S
1
D
1
G
2
D
2
S
2
1
2
3
6
5
4
门-流, 门-源 电压 –50 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
门 电流 50 毫安. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
含铅的 温度 (
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.) 300
C. . . . . . . . . . . . . . . . . .
存储 温度 –65 至 200
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
运行 接合面 温度 –55 至 150
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
电源 消耗 : 每 一侧
一个
250 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
总的
b
500 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
注释
一个. 减额 2 mw/
c 在之上 85
C
b. 减额 4 mw/
c 在之上 85
C
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