半导体 组件 industries, llc, 2002
october, 2002 – rev. 0
1
发行 顺序 号码:
ntb65n02r/d
特性
•
planar hd3e 处理 为 快 切换 效能
•
低 r
DSon
至 降低 传导 丧失
•
低 c
iss
至 降低 驱动器 丧失
•
低 门 承担
•
快 切换
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指定)
参数
标识 值 单位
drain–to–source 电压 V
DSS
24 V
直流
gate–to–source 电压 持续的 V
GS
±
20 V
直流
流 电流 (持续的 @ t
一个
= 25
°
c (便条 3)
单独的 脉冲波 (tp = 10
s)
I
D
I
DM
65
160
一个
一个
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C P
D
78 W
运行 和 存储 温度 T
J
和
T
stg
–55 至
150
°
C
单独的 脉冲波 drain–to 源 avalanche
活力 – 开始 t
J
=25
°
C
(v
DD
= 50 v
直流
, v
GS
= 5 v
直流
, i
L
= 一个
pk
, l = 1 mh,
R
G
= 25
)
E
作
TBD mJ
热的 阻抗 Junction–to–Case
junction–to–ambient (便条 1)
junction–to–ambient (便条 2)
R
JC
R
JA
R
JA
1.6
67
120
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8” 从 情况 为 10 秒
T
L
260
°
C
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 1 inch 垫子 大小, (cu 范围
1.127 在
2
).
2. 当表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 最小 推荐 垫子
大小, (cu 范围 0.412 在
2
).
3. 碎片 电流 能力 限制 用 包装.
管脚 分派
管脚 函数
1 门
2 流
3 源
4 流
这个 文档 包含 信息 在 一个 产品 下面 开发. 在 半导体
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设备 包装 Shipping
订货 信息
NTP65N02R TO–220AB 50 单位/栏杆
NTB65N02R D
2
PAK
TO–220AB
情况 221a
样式 5
50 单位/栏杆
65 一个, 24 v
R
ds(在)
= 8.3 m
(典型值)
标记
图解
xxxxx = 明确的 设备 代号
Y = 年
WW = 工作 week
NTB65N02RT4 D
2
PAK 800 录音带 &放大; 卷轴
D
2
PAK
情况 418b
样式 2
D
S
G
YWW
xxxxx
YWW
xxxxx
1
2
3
4
1
2
3
4
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