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provisional 公布 b - 六月 2001
ZXMN2A01F
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20v n-频道 增强 模式 场效应晶体管
SUMMARY
V
(br)dss
=20v; r
ds(在)
=0.12

D
=2.09a
描述
这个 新 一代 的 TRENCH MOSFETs 从 Zetex utilises 一个 唯一的
结构 那 结合 这 益处 的 低 在-阻抗 和 快 切换
速. 这个 制造 它们 完美的 为 高 效率, 低 电压, 电源
管理 产品.
特性
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低 在-阻抗
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快 切换 速
•
低 门槛
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低 门 驱动
•
sot23 包装
产品
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直流 - 直流 转换器
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电源 管理 功能
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发动机 控制
订货 信息
设备 卷轴 大小 录音带 宽度 QUANTITY
每 卷轴
ZXMN2A01FTA 7” 8mm 3000 单位
ZXMN2A01FTC 13” 8mm 10000 单位
设备 标记
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7N2
顶 视图
SOT23

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provisional 公布 b - 六月 2001 ZXMN2A01F 1 20v n-频道增强模式场效应晶体管 SUMMARY V (br)dss =20v; r ds(在) =0.12  D =2.09a 描述这个新一代的 TRENCH MOSFETs 从 Zetex utilises 一个唯一的结构那结合这益处的低在-阻抗和快切换速. 这个制造它们完美的为高效率, 低电压, 电源管理产品. 特性 • 低在-阻抗 • 快切换速 • 低门槛 • 低门驱动 • sot23 包装产品 • 直流 - 直流转换器 • 电源管理功能 • 发动机控制订货信息设备卷轴大小录音带宽度 QUANTITY 每卷轴 ZXMN2A01FTA 7” 8mm 3000 单位 ZXMN2A01FTC 13” 8mm 10000 单位设备标记 • 7N2 顶视图 SOT23

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