cmos dramk4e661612c,k4e641612c
这个 是 一个 家族 的 4,194,304 x 16 位 扩展 数据 输出 模式 cmos drams. 扩展 数据 输出 模式 提供 高 速 随机的
进入 的 记忆 cells 在里面 这 一样 行. refresh 循环(4k ref. 或者 8k ref.), 进入 时间 (-45, -50 或者 -60), 电源 consumption(也不-
mal 或者 低 电源) 是 optional 特性 的 这个 家族. 所有 的 这个 家族 有CAS-在之前-RASrefresh,RAS-仅有的 refresh 和 hidden
refresh 能力. 此外, 自-refresh 运作 是 有 在 l-版本. 这个 4mx16 edo 模式 dram 家族 是 fabricated
使用 samsung
′
s 先进的 cmos 处理 至 realize 高 带宽-宽度, 低 电源 消耗量 和 高 可靠性.
•扩展 数据 输出 模式 运作
•2CAS字节/文字 读/写 运作
•CAS-在之前-RASrefresh 能力
•RAS-仅有的 和 hidden refresh 能力
•快 并行的 测试 模式 能力
•自-refresh 能力 (l-ver 仅有的)
•lvttl(3.3v) 兼容 输入 和 输出
•early 写 或者 输出 使能 控制 写
•电子元件工业联合会 标准 引脚
•有 在 塑料 tsop(ii) 包装
•+3.3v
±
0.3v 电源 供应
控制
Clocks
更小的
数据 输出
缓存区
RAS
UCAS
LCAS
W
Vcc
Vss
DQ0
至
DQ7
A0~A12
(a0~a11)*1
A0~A8
(a0~a9)*1
记忆 排列
4,194,304 x 16
Cells
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至
改变 产品 和 规格 没有 注意.
4m x 16bit cmos 动态 内存 和 扩展 数据 输出
描述
函数的 块 图解
便条) *1 : 4k refresh
sense 放大器 &放大; i/o
Upper
数据 在
缓存区
Upper
数据 输出
缓存区
更小的
数据 在
缓存区
DQ
8
至
DQ15
OE
行 解码器
column 解码器
vbb 发生器
refresh 计时器
refresh 控制
refresh 计数器
行 地址 缓存区
col. 地址 缓存区
• 部分 identification
- k4e661612c-tc/l(3.3v, 8k ref.)
- k4e641612c-tc/l(3.3v, 4k ref.)
特性
•
refresh 循环
部分
非.
Refresh
循环
refresh 时间
正常的 l-ver
K4E661612C* 8K
64ms 128ms
K4E641612C 4K
单位 :mW
* 进入 模式 &放大;RAS仅有的 refresh 模式
: 8k 循环/64ms(正常的), 8k 循环/128ms(l-ver.)
CAS-在之前-RAS&放大; hidden refresh 模式
: 4k 循环/64ms(正常的), 4k 循环/128ms(l-ver.)
•
起作用的 电源 消耗
速 8K 4K
-45 324 468
-50 288 432
-60 252 396
•
效能 范围
速
tRAC tCAC tRC tHPC
-45 45ns 12ns 74ns 17ns
-50 50ns 13ns 84ns 20ns
-60 60ns 15ns 104ns 25ns
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