初步的 数据 薄板 非. pd60140j
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输出 电源 mosfets 在 half-桥 配置
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高 一侧 门 驱动 设计 为 自举 运作
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自举 二极管 整体的 在 包装 (hd 类型)
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tighter 最初的 deadtime 控制
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低 温度 系数 deadtime
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15.6v 齐纳 clamped vcc 为 offline 运作
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half-桥 输出 是 输出 的 阶段 和 r
T
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真实 微小功率 startup
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关闭 特性 (1/6th v
CC
) 在 c
T
含铅的
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增加 欠压 lockout hysteresis (1volt)
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更小的 电源 水平的-shifting 电路
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更小的 di/dt 门 驱动 为 更好的 噪音 免除
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极好的 获得 免除 在 所有 输入 和 输出
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静电释放 保护 在 所有 leads
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常量 v
O
脉冲波 宽度 在 startup
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散热器 包装 版本 (p2 类型)
描述
这 ir53h(d)420(-p2) 是 完全 高 电压, 高 速,
自-oscillating half-桥 电路. 专卖的 hvic 和 获得
不受影响 cmos 科技, along 和 这 hexfet
®
电源
场效应晶体管 技术, 使能 加固 单独的 包装 con-
构造. 这 front-终止 特性 一个 可编程序的 振荡器
这个 功能 类似的 至 这 cmos 555 计时器. 这 供应 至
这 控制 电路 有 一个 齐纳 clamp 至 使简化 offline opera-
tion. 这 输出 特性 二 hexfets 在 一个 half-桥 con-
figuration 和 一个 内部 设置 deadtime 设计 为 迷你-
mum 交叉-传导 在 这 half-桥. 传播 延迟
自-oscillating half 桥
ir53h(d)420(-p2)
包装
典型 连接
产品 summary
1
D1
2
3
4
6
7
9
Vcc
COM
VO
V
在
V
B
ir53h(d)420(-p2)
VIN
COM
至,
加载
hv 直流 总线
R
T
C
T
R
T
C
T
外部
快 恢复 二极管 d1 是 不
必需的 为 hd 类型
V
在
(最大值)
500V
职责 循环 50%
deadtime (类型.) 1.2
µ
s
R
ds(在)
3.0
Ω
P
D
(t
一个
= 25
o
C
) 2.0w 或者 3.0w
特性
7 管脚 含铅的 sip
为 这 高 和 低一侧 电源 mosfets
是 matched 至 使简化 使用 在 50% 职责
循环 产品. 这 设备 能 oper-
ate 向上 至 这 v
在
(最大值) 比率.
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