scbs099j −january 1991 − 修订 april 2005
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
状态-的-这-艺术
epic-
ΙΙ
B
bicmos 设计
significantly 减少 电源 消耗
获得-向上 效能 超过 500 毫安 每
电子元件工业联合会 标准 jesd-17
静电释放 保护 超过 2000 v 每
mil-标准-883, 方法 3015; 超过 200 v
使用 机器 模型 (c = 200 pf, r = 0)
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce) < 1 v
在 v
CC
= 5 v, t
一个
= 25
°
C
高-驱动输出 (−32-毫安 i
OH
, 64-毫安 i
OL
)
包装 选项 包含 塑料
小-外形 (dw), shrink 小-外形
(db), 和 薄的 shrink 小-外形 (pw)
包装, 陶瓷的 碎片 carriers (fk),
塑料 (n) 和 陶瓷的 (j) dips, 和
陶瓷的 flat (w) 包装
描述
这些 octal 缓存区 和 线条 驱动器 是 设计
specifically 至 改进 两个都 这 效能 和
密度 的 3-状态 记忆 地址 驱动器, 时钟
驱动器, 和 总线-朝向 接受者 和
传输者. 一起 和 这 sn54abt240,
sn74abt240a, sn54abt241, 和
sn74abt241a,这些 设备 提供 这 选择
的 选择 结合体 的 反相的 和
同相 输出, 对称的 起作用的-低
输出-使能 (oe
) 输入, 和 complementary
oe 和 oe
输入.
这 sn54abt244 和 sn74abt244a 是 有组织的 作 二 4-位 缓存区/线条 驱动器 和 独立的 oe
输入.
当 oe
是 低, 这 设备 通过 noninverted 数据 从 这 一个 输入 至 这 y 输出. 当 oe 是 高, 这
输出 是 在 这 高-阻抗 状态.
至 确保 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下, oe
应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup
电阻; 这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
这 sn54abt244 是 典型 为 运作 在 这 全部 军队 温度 范围 的 −55
°
c 至 125
°
c. 这
sn74abt244a 是 典型 为 运作 从 −40
°
c 至 85
°
c.
版权
2005, 德州 器械 组成公司的
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 avail能力, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
epic-
ΙΙ
b 是 一个 商标 的 德州 器械.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
1OE
1A1
2Y4
1A2
2Y3
1A3
2Y2
1A4
2Y1
地
V
CC
2OE
1Y1
2A4
1Y2
2A3
1Y3
2A2
1Y4
2A1
SN54ABT244 ...j 或者 w pACKAGE
SN74ABT244A . . . db, dw, n, 或者 pw 包装
(顶 视图)
3212019
910111213
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
1Y1
2A4
1Y2
2A3
1Y3
1A2
2Y3
1A3
2Y2
1A4
SN54ABT244...fk pACKAGE
(顶 视图)
2Y4
1A1
1OE
1Y4
2A2 2OE
2Y1
地
2A1
V
CC
: 点此下载
