晶体管
发行 日期: 将
2005
SJC
00332
AED
1
2SA2122
硅 pnp 外延的 planar 类型
为 一般 amplifi cation
complementary 至
2
SC
5950
特性
高 向前 电流 转移 比率 h
FE
高 向前 电流 转移 比率 h高 向前 电流 转移 比率 h
Smini典型值 包装,准许downsizing的这设备和
自动
嵌入 通过 这 录音带 包装
绝对 最大 比率
T
一个
=
25
aa
°
C
参数 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 (发射级 打开) V
CBO
−
60
V
集电级-发射级 电压 (根基 打开) V
CEO
−
50
V
发射级-根基 电压 (集电级 打开) V
EBO
−
7
V
集电级 电流 I
C
−
100
毫安
顶峰 集电级 电流 I
CP
−
200
毫安
集电级 电源 消耗 P
C
150
mW
接合面 温度 T
j
TT
150
°
C
存储 温度 T
stg
TT
−
55
至
+
150
°
C
电的 特性
T
一个
=
25
aa
°
C
±
3
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-根基 电压 (发射级 打开) V
CBO
I
C
=
−
10
µ
一个, i
E
=
0
EE
−
60
V
集电级-发射级 电压 (根基 打开) V
CEO
I
C
=
−
2
毫安, i
B
=
0
−
50
V
发射级-根基 电压 (集电级 打开) V
EBO
I
E
=
EE
−
10
µ
一个, i
C
=
0
−
7
V
集电级-根基 截止 电流 (发射级 打开) I
CBO
V
CB
=
−
20
v, i
E
=
0
EE
−
0
.
1
−− µ
一个
集电级-发射级 截止 电流 (根基 打开) I
CEO
V
CE
=
CECE
−
10
v, i
B
=
0
−
100
µ
一个
向前 电流 转移 比率 h
FE
hh V
CE
=
CECE
−
10
v, i
C
=
−
2
毫安
160 460
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
=
−
100
毫安, i
B
=
−
10
毫安
−
0
.
2
−− −
0
.
5
−−
V
转变 频率 f
T
ff V
CB
=
−
10
v, i
E
=
1
毫安, f =
200
MHz
EE
80
MHz
集电级 输出 电容
(一般 根基, 输入 打开 短路)
C
ob
V
CB
=
−
10
v, i
E
=
0
, f =
1
MHz
EE
2
.
2
pF
便条) 测量 方法 是 为基础 在 japanese 工业的 标准 jis c
7030
测量 方法 为 晶体管.
标记 标识:
7
L
: 点此下载
