IHW20T120
软 切换 序列
电源 半导体
1 rev. 2 apr-04
低 丧失 duopack : igbt 在 trench 和 fieldstop
技术
和 软, 快 恢复 反对-并行的 emcon he 二极管
•
短的 电路 承受 时间 – 10
µ
s
•
设计 为 :
- 软 切换 产品
- 入门 加热
•
trench 和 fieldstop 技术 为 1200 v 产品 提供 :
- 非常 tight 参数 分发
- 高 强壮, 温度 稳固的 行为
- 容易 并行的 切换 能力 预定的 至 积极的
温度 系数 在
V
ce(sat)
•
非常 软, 快 恢复 反对-并行的 emcon
™
he 二极管
•
低 emi
•
应用 明确的 optimisation 的 inverse 二极管
G
C
E
类型
V
CE
I
C
V
ce(sat
),tj=25°c
T
j,最大值
标记 包装 订货 代号
ihw20t120 1200v 20A 1.7v
150
°
C
h20t120 至-247ac q67040-s4652
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 v
直流 集电级 电流
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
C
40
20
搏动 集电级 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Cpuls
60
转变 止 safe 运行 范围
V
CE
≤
1200v,
T
j
≤
150
°
C
-
60
二极管 向前 电流
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
F
23
13
二极管 搏动 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Fpuls
36
一个
二极管 surge 非 repetitive 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
T
C
= 25
°
c,
t
p
= 10ms, sine halfwave
T
C
= 25
°
c,
t
p
≤
2.5µs, sine halfwave
T
C
= 100
°
c,
t
p
≤
2.5µs, sine halfwave
I
FSM
50
130
120
一个
门-发射级 电压
V
GE
±
20
V
短的 电路 承受 时间
1)
V
GE
= 15v,
V
CC
≤
1200v,
T
j
≤
150
°
C
t
SC
10
µ
s
电源 消耗,
T
C
= 25
°
C
P
tot
178 w
运行 接合面 温度
T
j
-40...+150
°
C
存储 温度
T
stg
-55...+150
焊接 温度, 1.6mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s - 260
°
C
1)
允许 号码 的 短的 电路: <1000; 时间 在 短的 电路: >1s.
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