EVERYTHING
在 一个
新
明亮的.
描述
这个 家族 的 n-类型 硅 p-i-n
photodiodes 是 设计 为 使用 在 一个 宽
多样性 的 broad 带宽 低 明亮的 水平的
产品 covering 这 谱的 范围
从 在下 400 至 在 1100 nm.
这 不同的 类型 制造 向上 这个 序列
提供 一个 broad 选择 在 photosensitive
areas 和 在 时间 回馈
特性. 各自 的 这 类型 是
antireflection coated 至 增强
responsivity 在 900 nm.
这些 特性 制造 这 设备
高级地 有用的 在 hene 和 gaas 激光器
发现 系统 和 在 视力的
demodulation, 数据 传递, ranging,
和 高-速 切换 产品.
n-类型 硅 管脚 photodetectors
c30807, c30808, c30809, c30810, c30822, c30831
特性
• broad 范围 的 photosensitive 表面 areas
0.2 mm
2
至 100 mm
2
• 低 运行 电压 v
R
= 45v
• 反对-reflection coated 至 增强 responsivity 在 900 nm
• hermetically-sealed 包装
• 谱的 回馈 范围 400 至 1100 nm
最大 比率, 绝对-最大 值 (所有 类型)
直流 反转 运行 电压 v
R
. . . . . . . . . . . . . . . .100 最大值 v
photocurrent 密度, jp 在 22°c:
平均 值, 持续的 运作 . . . . . . . . . .5 毫安/mm
2
顶峰 值 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20 毫安/mm
2
向前 电流, i
F
:
平均 值, 持续的 运作 . . . . . . . . . .10 最大值 毫安
顶峰 值 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20 最大值 毫安
包围的 温度:
存储, t
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-60 至 +100°c
运行, t
一个
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40 至 +80°c
焊接 (为 5 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .200°c
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