pde-n1200d33a-0
igbt 单元
MBN1200D33A
硅 n-频道 igbt 外形 绘画
特性
*
高 热的 fatigue durability.
(delta tc=70
°
c,n
>
20,000cycles)
*
低 噪音 预定的 至 建造-在 自由-转动
二极管 - 过激 软 快 恢复 二极管(usfd).
*
高 速,低 丧失 igbt 单元.
*
低 驱动 电源 预定的 至 低 输入
电容 mos 门.
*
高 可靠性,高 durability 单元.
*
分开的 head 下沉 (终端 至 根基).
绝对 最大 比率 (tc=25
°
C
)
Item 标识 单位 MBN1200D33A
集电级 发射级 电压 V
CES
V 3,300
门 发射级 电压 V
GES
V
±
20
集电级 电流 直流 I
C
1,200
1ms I
Cp
一个
2,400
向前 电流 直流 I
F
1,200
1ms I
FM
一个
2,400
集电级 电源 消耗 Pc W 12,000
接合面 温度 T
j
°
C -40 ~ +125
存储 温度 T
stg
°
C -40 ~ +125
分开 电压 V
ISO
V
RMS
5,400(交流 1 分钟)
screw torque
Terminals
(m4/m8)
- 2/10 (1)
挂载
(m6)
-
n.m
6 (2)
注释: (1)推荐 值 1.8
±
0.2/9
±
1n.m (2)推荐 值 5.5
±
0.5n.m
特性 (tc=25
°
C
)
Item S
ymbol 单位 最小值 Typ. 最大值 测试 情况
集电级 发射级 截-止 电流 I
CES
毫安 - - 12.0 V
CE
=3,300v,v
GE
=0V
门 发射级 泄漏 电流 I
GES
nA - -
±
500 V
GE
=
±
20v,v
CE
=0V
集电级 发射级 饱和 电压 V
CE(sat)
v-4.15.0i
C
=1,200a,v
GE
=15V
门 发射级 门槛 电压 V
GE(至)
V 4.0 5.5 7.0 V
CE
=10v, i
C
=1,200ma
输入 电容 C
ies
nF - 150 - V
CE
=10v,v
GE
=0v,f=100khz
上升 时间 t
r
-1.62.6v
CC
=1,650v,ic=1,200a
转变 在 时间 t
在
- 2.3 3.2 L=100nH
下降 时间 t
f
- 2.43.2r
G
=3.3
W
(3)
切换 时间
转变 止 时间 t
止
m
s
-3.95.6v
GE
=
±
15v tc=125
°
C
顶峰 向前 电压 漏出 V
FM
v-2.83.7
-
ic=1,200a,v
GE
=0V
反转 恢复 时间 t
rr
m
s - 0.8 1.4 vcc=1,650v,
-
ic=1,200a,l=100nh,
Tc=125
°
c (4)
IGBT Rth(j-c) - - 0.008
热的 阻抗
FWD Rth(j-c)
°
c/w
- - 0.016
接合面 至 情况
注释:(3) r
G
值 是 这 测试 情况’s 值 为 decision 的 这 切换 时间, 不 推荐 值.
决定 这 合适的 r
G
值 之后 这 度量 的 切换 波形
(越过 电压,等.)和 appliance 挂载.
(4) 计数器 arm igbt v
GE
=
-
15V
单位 在 mm
重量: 1,200 (g)
TERMINALS
G
E
EEE
C
CCC
6-m8
3-m4
8-
φ
7
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