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1996
初步的 数据 sheet
gaas mes 场效应晶体管
ne85002 序列
2 w c-带宽 电源 gaas 场效应晶体管
n-频道 gaas mes 场效应晶体管
文档 非. p10969ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 六月 1996 p
打印 在 日本
描述
这 ne8500295 电源 gaas 场效应晶体管 覆盖 3.5 至 8.5 ghz 频率 范围 和 三 不同的 类 一个, 2.0 w
partially matched 设备. 各自 packaged 设备 有 一个 输入 lumped 元素 相一致 网络.
ne8500200 是 这 六-cells recessed 门 碎片 使用 在 ‘95’ 包装.
这 设备 包含 德州仪器-al 门 和 硅 dioxide glassivation. 至 减少 这 热的 阻抗, 这 设备
有 一个 phs. (镀有 热温 下沉)
nec’s strigent 质量 assurance 和 测试 程序 使确信 这 最高的 可靠性 和 效能.
特性
• 类 一个 运作
• 高 电源 输出
• 高 可靠性
选择 chart
效能 指定
部分 号码
pout (
**
)g
L
(
**
) USABLE
(dbm) (db) 频率
(ghz)
ne8500200(
*
) 33.8 最小值 8.0 最小值 2.0 至 10
ne8500200-wb(
*
)
ne8500200-rg(
*
)
ne8500295-4 33.8 最小值 10.5 最小值 3.5 至 5.5
ne8500295-6 33.8 最小值 9.5 最小值 5.5 至 7.5
ne8500295-8 33.5 最小值 8.0 最小值 7.5 至 8.5
*
gb, rg 表明 一个 类型 的 containers 为 碎片.
wb: 黑色 运输车, rg: 环绕,
**
指定 在 这 情况 在 这 last 页.
物理的 维度
ne8500200 (碎片) (单位:
µ
m)
包装 代号-95 (单位: mm)
640
240100
110
100
100
90
100
1800
14.0 ±0.3
7.2 ±0.2
4.5 最大值.
0.1
5.9 ±0.2
4.0 最小值.
0.7 ±0.1
GATE
2.5 ±0.3 dia
SOURCE
0.2 最大值.
2.1 ±0.15
1.0
18.5 最大值.
DRAIN
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