npn 硅 planar 外延的 晶体管 2N3019
2N3020
至-39
metal 能 包装
设计 为 使用 在 一般 目的 放大器 和 高 速 切换 产品
这些 晶体管 是 也 合适的 为 高 电流 放大器 产品
绝对 最大 比率 (ta=25ºc 除非 指定 否则)
描述 标识 值 单位
集电级 发射级 电压
V
CEO
80 V
集电级 根基 电压
V
CBO
140 V
发射级 根基 电压
V
EBO
7 V
集电级 电流
I
CM
1 一个
电源 消耗 @ ta=25º c
P
D
800 mW
电源 dissipation@ tc=25ºc
5 W
接合面 温度
T
j
+200 ºC
存储 温度
T
stg
-65 至 +200 ºC
热的 阻抗
接合面 至 包围的
R
th(j-一个)
218.7 ºc/w
接合面 至 情况
R
th(j-c)
35 ºc/w
电的 特性 (ta=25ºc 除非 指定 否则)
描述 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
集电级 发射级 损坏 电压
BV
CEO
* I
C
=30ma,i
B
=0
80 V
集电级 根基 损坏 电压
BV
CBO
I
C
=100
µ
一个, i
E
=0 140 V
发射级 根基 损坏 电压
BV
EBO
I
E
=100
µ
一个, i
C
=O 7 V
集电级 泄漏 电流
I
CBO
V
CB
=90v, i
E
=0
10
n
Α
V
CB
=90v, i
E
=0, ta=150ºc
10
µ
一个
发射级 泄漏 电流
I
EBO
V
EB
=5v, i
C
=0
10
n
Α
集电级 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
* I
C
=150ma, i
B
=15mA
0.2 V
I
C
=500ma, i
B
=50mA
0.5 V
根基 发射级 饱和 电压
V
是(sat)
* I
C
=150ma, i
B
=15mA
1.1 V
continental 设备 印度 限制
数据 薄板
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continental 设备 印度 限制
一个 iso/ts16949 和 iso 9001 certified 公司
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