41
结晶 振荡器
#4 #3
#1
0.5
5.08
#2
5.0
0.05 最小值
2.7 最大值
5.8 最大值
10.5 最大值
推荐 焊接 模式
外部 维度
(单位: mm)(单位: mm)
18.4320cE
PTF9352A
(1.0) (1.0)
3.6
5.08
1.3
2.1
4.6
metal 将 是 exposed 在 这 顶 或者 bottom 的 这个 产品.
这个 won't 影响 任何 质量, 可靠性 或者 电的 规格.
1
2
3
4
oe 或者 st
地
输出
V
DD
非.
管脚 终端
便条.
oe 管脚 (ptf, ph, pce, pde, ptw, phw, pcw)
oe 管脚 - "h" 或者 "打开" : 指定 频率 输出.
oe 管脚 - "l" : 输出 是 高 阻抗.
st 管脚 (stw, shw, scw)
st 管脚 - "h" 或者 "打开" : 指定 频率 输出.
st 管脚 - "l" : 输出 是 低 水平的 (弱 拉 - 向下), 振动 stops.
st 管脚 (sce)
st 管脚 - "h" 或者 "打开" : 指定 频率 输出.
st 管脚 - "l" : 输出 是 高 阻抗., 振动 stops.
规格 (特性)
高-频率 结晶 振荡器
sg-636 序列
便条: • 除非 否则 陈述,特性 (规格) 显示 在 这 在之上 表格 是 为基础 在 这 评估 运行 温度 和 电压 情况.
• 外部 用-通过 电容 是 必需的.
• 一个 小 smd 那 使能 高-密度 挂载.
• 一个 一般-目的 设备 和 builtin 热温-resisting cylindrical 在-截
结晶 和 准许 almost 这 一样 温度 情况 为 焊接
作 smd ic.
• 低 电流 消耗量 用 输出 使能 函数(oe) 或者 备用物品
函数(st).
真实的 大小
产品 号码 (请 谈及 至 页 1)
Q33636xxxxxxx00
Item
标识
规格
Remarks
sg-636ptf
sg-636ph sg-636sce/pce sg-636pde
输出 频率 范围
f
0
2.21675 mhz 至
41.0001
MHz
至
2.21675 mhz 至 2.21675mhz 至
41.0000 mhz
70.0000
MHz 40.0000 mhz 40.0000mhz
谈及 至 页 31. "频率 范围"
电源 源
最大值 供应 电压
V
DD
-地
-0.5 v 至 +7.0 v
电压
运行 电压
V
DD
5.0 v ±0.5 v 3.3 v ±0.3 v 2.5 v ±0.25 v
温度
存储 温度
T
STG
-55 °c 至 +100 °c
贮存 作 bare 产品 之后 unpacking
范围
运行 温度
T
OPR
-20 °c 至 +70 °c
谈及 至 页 31. "频率 范围"
频率 稳固
∆
f/f
0
c: ±100 x 10
-6
电流 消耗量
lop 17 毫安 最大值 35 毫安 最大值 9 毫安 最大值 5 毫安 最大值
非 加载 情况
输出 使不能运转 电流
I
OE
10 毫安 最大值 20 毫安 最大值 5 毫安 最大值 3 毫安 最大值
oe=地, st=地 2 µa 最大值.(sce)
职责
cmos 水平的
t
w
/t
40 % 至 60 % 45 % 至 55 %
cmos 加载: 1/2 v
DD
level
ttl 水平的 45 % 至 55 % —
ttl 加载: 1.4 v 水平的
输出 电压
V
OH
V
DD
-0.4 v 最小值 I
OH
=-8 毫安 (ptf) /-4 毫安 (ph / sce / pce / pde)
V
OL
0.4 v 最大值
I
OL
=16 毫安 (ptf) /4 毫安 (ph / sce / pce / pde
)
输出 加载 情况
cmos 水平的 C
L
50 pf 最大值
20 pf 最大值.(
≤
55 mhz)
30 pf 最大值 15 pf 最大值
(风扇 输出)
15 pf 最大值.( > 55 mhz)
ttl 水平的 N 10 ttl 最大值 5 lsttl 最大值 — C
L
<_
15 pf
输出 使能/使不能运转 输入 电压
V
IH
2.0 v 最小值 0.8 v
DD
最小值
oe,st (sce)
V
IL
0.8 v 最大值 0.2 v
DD
最大值
输出 上升 时间
cmos 水平的
t
TLH
7 ns 最大值 5 ns 最大值 cmos 加载: 20 %
→
80 % v
DD
ttl 水平的 5 ns 最大值 — ttl 加载: 0.4 v
→
2.4 v
输出 下降 时间
cmos 水平的
t
THL
7 ns 最大值 5 ns 最大值 cmos 加载: 80 %
→
20 % v
DD
ttl 水平的 5 ns 最大值 — ttl 加载: 2.4 v
→
0.4 v
振动 开始 向上 时间
tosc 4 ms 最大值
10 ms 最大值 4 ms 最大值
时间 在 最小 运行 电压 至 是 o s
变旧
fa
±5 x 10
-6
/年 最大值
ta=+25 °c,v
DD
=5.0 v / 3.3 v / 2.5 v,第一 年
shock 阻抗
s.r.
±20 x 10
-6
最大值
三 drops 在 一个 hard 板 从 750 mm 或者 excitation 测试
和 29400 m/s
2
x 0.3 ms x 1/2 sine 波 在 3 方向
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