hi-sincerity
微电子学 corp.
规格. 非. : he6803
issued 日期 : 1995.12.28
修订 日期 : 2002.10.28
页 非. : 1/12
hmbz52xxb 序列 hsmc 产品 规格
HMBZ5221B
thru
HMBZ5257B
齐纳 二极管
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr-5 板
TA=25
°
c, 减额 在之上 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mw/
°
C
总的 设备 消耗
alumina substrate**ta=25
°
c, 减额 在之上 25
°
C
PD
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的
R
θ
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 tj, tstg -55 至 +150
°
C
*fr-5 - 1.0
×
0.75
×
0.062 在. **alumina - 0.4
×
0.3
×
0.024 在. 99.5% alumina.
电的 典型的
(v
F
=0.9v 最大值 @i
F
=10ma 为 所有 类型.)
测试
电流
齐纳
电压
ZZK
iz=0.25ma
ZZT
IZ=IZT
最大值 反转
电流
设备
标记
代号
izt(毫安) vz(v)
Ω
最大值
Ω
最大值
ir(ua) @vr(v)
HMBZ52221B 18A 20
2.4
±
5%
1200 30 100 1.0
HMBZ5222B 18B 20
2.5
±
5%
1250 30 100 1.0
HMBZ5223B 18C 20
2.7
±
5%
1300 30 75 1.0
HMBZ5225B 18E 20
3.0
±
5%
1600 29 50 1.0
HMBZ5226B 8A 20
3.3
±
5%
1600 28 25 1.0
HMBZ5227B 8B 20
3.6
±
5%
1700 24 15 1.0
HMBZ5228B 8C 20
3.9
±
5%
1900 23 10 1.0
HMBZ5229B 8D 20
4.3
±
5%
2000 22 5.0 1.0
HMBZ5230B 8E 20
4.7
±
5%
1900 19 5.0 2.0
HMBZ5231B 8F 20
5.1
±
5%
1600 17 5.0 2.0
HMBZ5232B 8G 20
5.6
±
5%
1600 11 5.0 3.0
HMBZ5233B 8H 20
6.0
±
5%
1600 7.0 5.0 3.5
HMBZ5234B 8J 20
6.2
±
5%
1000 7.0 5.0 4.0
HMBZ5235B 8K 20
6.8
±
5%
750 5.0 3.0 5.0
HMBZ5236B 8L 20
7.5
±
5%
500 6.0 3.0 6.0
HMBZ5237B 8M 20
8.2
±
5%
500 8.0 3.0 6.5
HMBZ5238B 8N 20
8.7
±
5%
600 8.0 3.0 6.5
HMBZ5239B 8P 20
9.1
±
5%
600 10 3.0 7.0
HMBZ5240B 8Q 20
10
±
5%
600 17 3.0 8.0
HMBZ5241B 8R 20
11
±
5%
600 22 2.0 8.4
HMBZ5242B 8S 20
12
±
5%
600 30 1.0 9.1
HMBZ5243B 8T 9.5
13
±
5%
600 13 0.5 9.9
HMBZ5244B 8U 9.0
14
±
5%
600 15 0.1 10
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