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资料编号:323572
 
资料名称:FDS4675
 
文件大小: 73.85K
   
说明
 
介绍:
40V P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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二月2001
2001仙童 半导体Corporation fds4675 rev c(w)
FDS4675
40v p-频道 powertrench
一般 描述
这个 p-频道 场效应晶体管 是 一个 坚毅的 门 版本 的
仙童 半导体’s 先进的 powertrench
处理. 它 有 被 优化 为 电源 管理
产品 需要 一个 宽 范围 的 gave 驱动
电压 比率 (4.5v20v).
产品
电源 管理
加载 转变
电池 保护
特性
11 一个,40 v R
ds(在)
= 0.013
@ v
GS
=10 v
R
ds(在)
= 0.017
@ v
GS
=4.5 v
快 切换 速
高 效能 trench 技术 为 extremely
低 r
ds(在)
高 电源 和 电流 处理 能力
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
D
D
D
D
S
S
S
G
管脚 1
所以-8
4
3
2
1
5
6
7
8
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
-源 电压
40
V
V
GSS
-源 电压
±
20 V
I
D
流 电流 Continuous (便条 1a)
11
一个
搏动
50
电源 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a) 2.4 (稳步的 状态)
(便条 1b)
1.4
P
D
(便条 1c)
1.2
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +175
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面--包围的 (便条 1a) 62.5 (稳步的 状态), 50 (10 sec)
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面--包围的 (便条 1c) 125
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面--情况 (便条 1) 25
°
c/w
包装 标记 和 订货 information
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS4675 FDS4675 13’’ 12mm 2500 单位
FDS4675
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