MB84VD23280EA_集成电路资料查询网

ds05-50211-1e
fujitsu 半导体
数据SHEET
stacked mcp (multi-碎片 包装) flash 记忆 &放大; sram
CMOS
64m (
×
8/
×
16) flash 记忆 &放大;
8m (
×
8/
×
16) 静态的 内存
MB84VD23280EA
-90
/mb84vd23280ee
-90
■
特性
• 电源 供应 电压 的 2.7 v 至 3.3 v
• 高 效能
90 ns 最大 进入 时间 (flash)
70 ns 最大 进入 时间 (sram)
• 运行 温度
–25
°
c 至 +85
°
C
• 包装 101-球 bga
(持续)
■
产品 阵容
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PAC K 一个G E
flash 记忆 SRAM
订货 part 非.
V
CC
f, v
CC
s = 3.0 v
mb84vd23280ea-90/mb84vd23280ee-90
最大值 地址 进入 时间 (ns) 90 70
最大值 ce
进入 时间 (ns) 90 70
最大值 oe
进入 时间 (ns) 35 35
101-管脚 塑料 fbga
bga-101p-m01
+0.3v
–0.3 v

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ds05-50211-1e fujitsu 半导体数据SHEET stacked mcp (multi-碎片包装) flash 记忆 &放大; sram CMOS 64m ( × 8/ × 16) flash 记忆 &放大; 8m ( × 8/ × 16) 静态的内存 MB84VD23280EA -90 /mb84vd23280ee -90 ■ 特性 • 电源供应电压的 2.7 v 至 3.3 v • 高效能 90 ns 最大进入时间 (flash) 70 ns 最大进入时间 (sram) • 运行温度 –25 ° c 至 +85 ° C • 包装 101-球 bga (持续) ■ 产品阵容 ■ PAC K 一个G E flash 记忆 SRAM 订货 part 非. V CC f, v CC s = 3.0 v mb84vd23280ea-90/mb84vd23280ee-90 最大值地址进入时间 (ns) 90 70 最大值 ce 进入时间 (ns) 90 70 最大值 oe 进入时间 (ns) 35 35 101-管脚塑料 fbga bga-101p-m01 +0.3v –0.3 v

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