将 1998
NDS9925一个
双 n-频道增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则指出
标识 参数 NDS9925A 单位
V
DSS
流-源 电压 20 V
V
GSS
门-源 电压 ±8 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) 4.5 一个
- 搏动 15
P
D
电源 消耗 为 双 operation 2 W
电源 消耗为 单独的 运作(便条 1a) 1.6
(便条 1b) 1
(便条 1c) 0.9
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 78 °c/w
R
θ
J
C
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 40 °c/w
NDS9925一个rev. 一个
所以-8N-channel 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的,
高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高
密度 处理 是 特别 tailored 至 降低
在-状态 阻抗 和 提供 更好的 切换
效能.这些 设备 是 特别 suited 为
低 电压 产品 此类 作 notebook 计算机
电源 管理 和 其它 电池 powered 电路
在哪里 快 切换, 低 在-线条 电源 丧失, 和
阻抗 至 过往旅客 是 需要.
4.5一个, 20 v. r
ds(在)
= 0.060
Ω
@ v
GS
= 4.5V
R
ds(在)
= 0.075
Ω
@ v
GS
= 2.7v.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个 widely
使用 表面 挂载 包装.
双 场效应晶体管 在 表面 挂载 包装.
soic-16
sot-23
SuperSOT
TM
-8
所以-8
sot-223SuperSOT
TM
-6
1
5
7
8
2
3
4
6
S1
D1
S2
G1
所以-8
D2
D2
D1
G2
NDS
9925A
管脚
1
© 1998 仙童 半导体 公司
: 点此下载
