半导体 组 1 1997-11-01
gaas-ir-lumineszenzdiode
gaas infrared 发射级
wesentliche merkmale
●
gaas-ir-led, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
●
hohe zuverlässigkeit
●
hohe impulsbelastbarkeit
●
lange anschlüsse
●
gruppiert lieferbar
●
gehäusegleich mit sfh 300, sfh 203
Anwendungen
●
ir-fernsteuerung von fernseh- und
rundfunkgeräten, videorecordern,
Lichtdimmern
●
Gerätefernsteuerungen
●
lichtschranken für gleich- und
Wechsellichtbetrieb
特性
●
gaas infrared 发出 二极管, fabricated 在 一个
liquid 阶段 epitaxy 处理
●
高 可靠性
●
高 脉冲波 处理 能力
●
长 leads
●
有 在 groups
●
一样 包装 作 sfh 300, sfh 203
产品
●
ir 偏远的 控制 的 hi-fi 和 tv-sets, video
录音带 recorders, dimmers
●
偏远的 控制 的 各种各样的 设备
●
Photointerrupters
ld 271, ld 271 h
ld 271 l, ld 271 hl
maße 在 mm, wenn nicht anders angegeben/维度 在 mm, 除非 否则 指定.
fex06628
7.8
7.5
9.0
8.2
29
27
1.8
1.2
4.8
4.2
ø5.1
ø4.8
0.8
0.4
0.6
0.4
2.54mm
间隔
5.9
5.5
0.6
0.4
范围 不 flat
碎片 位置
Cathode
approx. 重量 0.2 g
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
间隔
7.8
7.5
9.0
8.2
4.8
4.2
11.4
11.0
14.0
13.0
1.8
1.2
1.3
1.0
范围 不 flat
0.6
0.4
Cathode 碎片 位置
GEX06239
approx. 重量 0.5 g
1.0
0.7