doc. 非. e0643e30 (ver. 3.0)
日期 发行 8月 2005 (k) 日本
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elpida 记忆, 公司 2005
Overview
这 edx5116abse 是 一个 512m 位 xdr
™
dram 有组织的
作 32m words
×
16 位. 它 是 一个 一般-目的 高-perfor-
mance 记忆 设备 合适的为 使用 在 一个 broad 范围 的
产品.
这 使用 的 差别的 rambus signaling 水平的 (drsl) tech-
nology 准许 4000/3200/2400 mb/s转移 比率 当
使用 常规的 系统 和 板 设计 科技.
xdr dram 设备 是 有能力 的sustained 数据 transfers 的
8000/6400/4800 mb/s.
xdr dram 设备 architecture 准许 这 最高的 sustained
带宽 为 多样的, interleaved randomly addressed mem-
ory transactions. 这 高级地-efficient 协议 产量 在 95%
utilization 当 准许 fine 进入 granularity. 这 设备的
第八 banks 支持 向上 至 四interleaved transactions.
它 是 packaged 在 104-球 fbga (
µ
BGA
) 兼容 和
rambus xdr dram 管脚 配置.
特性
• 最高的 管脚 带宽 有
4000/3200/2400 mb/s octal 数据比率 (odr) signaling
• bi-directional 差别的 rsl (drsl)
- 有伸缩性的 读/写带宽 allocation
- 最小 管脚 计数
• 在-碎片 末端
-adaptive 阻抗 相一致
-减少 系统 费用 和 routing complexity
•
最高的 sustained 带宽 每 dram 设备
• 8000/6400/4800 mb/s sustained 数据 比率
• 第八 banks: bank-interleaved transactions 在 全部
带宽
• 动态 要求 scheduling
• early-读-之后-写 支持 为 最大 效率
• 零 overhead refresh
• 动态 宽度 控制
•edx5116abse 支持
×
16,
×
8 和
×
4 模式
•low latency
• 2.0/2.5/3.33 ns 要求 packets
• 要点-至-要点 数据 interconnect 为 fastest 可能
flight 时间
• 支持 为 低-latency, 快-循环 cores
•low 电源
• 1.8v vdd
• 可编程序的 小-摆动 i/o signaling (drsl)
• 低 电源 pll/dll 设计
• powerdown 自-refresh 支持
• 每 管脚 i/o powerdown 为 narrow-宽度 运作
管脚 配置
7654321
DQ7DQN7DQN5DQ5
地VTERMVDD地
DQ3DQN3DQN1DQ1
地RQ11RQ10地
VDDRQ9RQ8VDD
地RQ7RQ6VDD
CFMCFMNRQ4VREF
地RQ5RQ2地
VDDRQ3RQ0VDD
地RQ1RST地
SD1SCKCMDSD0
DG2DQN2DQN0DQ0
地VTERMVDD地
DQ6DQN6DQN4DQ4
G
F
E
D
C
B
一个
P
N
M
L
K
J
H
Column
行
A8A16
EFHJKL
5
6
7
8
9
10
11
1
2
3
4
DQN9
DQ9
DQN5
DQ5
地
VTERM
VDD
VDD
VDD
地
VTERM
地
RQ10
RQ11
地
地
VDD
RQ4
RQ3
VDD
VDD
SDI
地
RQ0
地
VTERM
DQN8
DQ8
DQN4
VDD
地
VTERM
GDCBA
VDD
DQ4
顶 视图 的 包装
CFM
CFMN
地
VDD
VDD
地
地
RSRV
RSRV
VDD
地
DQN2
DQ2
DQN14
VDD
地
地
DQ14
DQN3
DQ3
DQN15
VDD
地
地
DQ15
12
13
14
15
16
地
DQN13
DQ13
DQN1
DQ1
VDD
CMD
SCK
地
RQ9
RQ8
VDD
RQ1
RQ2
VDD
地
VDD
地
RST
SDO
地
DQN12
DQ12
DQN0
DQ0
RQ7
RQ6
VDD
VREF
RQ5
VDD
DQN6
DQ6
DQN10
DQ10
VDD
DQN7
DQ7
DQN11
DQ11
地
地
地
VDD
VDD
512m 位 xdr
DRAM
edx5116abse (32m words
×
16 位)
初步的 数据 薄板
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