n-频道 增强 模式 场效应晶体管
版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.6 - sep., 2002
www.anpec.com.tw
1
anpec reserves 这 正确的 至 制造 改变 至 改进 可靠性 或者 manufacturability 没有 注意, 和 advise
客户 至 获得 这 最新的 版本 的 相关的 信息 至 核实 在之前 放置 顺序.
apm9926/c
特性 产品
•
20v/6a , r
ds(在)
=28m
Ω
(典型值.) @ v
GS
=4.5v
R
ds(在)
=38m
Ω
(典型值.) @ v
GS
=2.5v
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超级的 高 dense cell 设计 为 极其
低 r
ds(在)
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可依靠的 和 坚毅的
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•
所以-8 和 tssop-8 包装
•
电源 管理 在 notebook 计算机 ,
可携带的 设备 和 电池 powered
系统.
管脚 描述
所以-8 tssop-8
1
2
3
45
6
7
8S1
G1
S2
G2 D2
D2
D1
D1
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8D1
S1
S1
G1 G2
S2
S2
D2
G1
S1
D1
S1
G2
S2
D2
S2
G2
S2
D2 D2
G1
S1
D1 D1
所以-8 tssop-8
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8S1
G1
S2
G2 D
D
D
D
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8D
S1
S1
G1 G2
S2
S2
D
G1
S1
D
S1
G2
S2
D
S2
G1
S1
D
G2
S2
D
APM9926
APM9926C