©2003 仙童 半导体 公司 rev. b1, 九月 2003
2n5086/2n5087/mmbt5087
绝对 最大 ratings*
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
* 这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
注释:
1. 这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150 degrees c.
2. 这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
电的 特性
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%
标识 参数 值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 -50 V
V
CBO
集电级-根基 电压 -50 V
V
EBO
发射级-根基 电压 -3.0 V
I
C
集电级 电流 - 持续的 -100 毫安
T
J
, t
stg
接合面 和 存储 温度 -55 ~ +150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
止 特性
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 * I
C
= -1.0ma, i
B
= 0 -50 V
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= -100
µ
一个, i
E
= 0 -50 V
I
CEO
集电级 截止 电流 V
CB
= -10v, i
E
= 0
V
CB
= -35v, i
E
= 0
-10
-50
nA
nA
I
CBO
发射级 截止 电流 V
EB
= -3.0v, i
C
= 0 -50 nA
在 特性
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= -100
µ
一个, v
CE
= -5.0v
I
C
= -1.0ma, v
CE
= -5.0v
I
C
= -10ma, v
CE
= -5.0v
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
150
250
150
250
500
800
V
ce(sat)
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= -10ma, i
B
= -1.0ma -0.3 V
V
是(在)
根基-发射级 在 电压 I
C
= -1.0ma, v
CE
= -5.0v -0.85 V
小 信号 特性
f
T
电流 增益 带宽 产品 I
C
= -500
µ
一个, v
CE
= -5.0v, f = 20mhz 40 MHz
C
cb
集电级-根基 电容 V
CB
= -5.0v, i
E
= 0, f = 100khz 4.0 pF
h
fe
小-信号 电流 增益 I
C
= -1.0ma, v
CE
= -5.0v,
f = 1.0khz
5086
5087
150
250
600
900
NF 噪音 图示 I
C
= -100
µ
一个, v
CE
= -5.0v
R
S
= 3.0k
Ω
, f = 1.0khz
I
C
= -20
µ
一个, v
CE
= -5.0v
R
S
= 10k
Ω
f = 10hz 至 15.7khz
5086
5087
5086
5087
3.0
2.0
3.0
2.0
dB
dB
dB
dB
2n5086/2n5087/mmbt5087
pnp 一般 目的 放大器
• 这个 设备 是 设计 为 低 水平的, 高 增益, 低
噪音 一般 目的 放大器 产品 在
集电级 电流 至 50ma.
sot-23
1. 根基 2. 发射级 3. 集电级
1
2
3
mark: 2q
至-92
1
1. 发射级 2. 根基 3. 集电级
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