rev. 1.1
flash 记忆
CMOS
8m (1m
×
8/512k
×
16) 位
CSR2930800BA
-90
■
描述
这 csr2930800ba 是 一个 8m-位, 3.0 v-仅有的 flash 记忆 有组织的 作 1m 字节 的 8 位 各自 或者 512k words
的 16 位 各自. thecsr2930800ba 是 offered 在 一个 48-管脚 tsop(i), 44-管脚 sop, 和 48-ball fbga packages.
这些 设备 是 设计 至 是 编写程序 在-系统 和 这 标准 系统 3.0 v v
CC
供应. 12.0 v v
PP
和 5.0 v v
CC
是 不 必需的 为 写 或者 擦掉 行动. 这 设备 能 也 是 reprogrammed 在 标准
非易失存储器 programmers.
这 标准 csr2930800ba 提供 进入 时间 90 ns, 准许 运作 的 高-速 微处理器 没有
wait states. 至 eliminate 总线 contention 这 设备 有 独立的 碎片 使能 (ce
), 写 使能 (我们), 和
输出 使能 (oe
) 控制.
这 csr2930800ba 是 管脚 和 command 设置 兼容 和 电子元件工业联合会 标准 e
2
proms. commands 是
写 至 这 command 寄存器 使用 标准 微处理器 写 timings. 寄存器 内容 提供 作 输入
至 一个 内部的 状态-机器 这个 控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统. 写 循环 也 内部 获得
地址 和 数据 需要 为 这 程序编制 和 擦掉 行动. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的
至 读 从 5.0 v 和 12.0 v flash 或者 非易失存储器 设备.
这 csr2930800ba 是 编写程序 用 executing 这 程序 command sequence. 这个 将 invoke 这
embedded 程序 algorithm 这个 是 一个 内部的 algorithm 那 automatically 时间 这 程序 脉冲波 widths
和 核实 恰当的 cell 余裕. 典型地, 各自 sector 能 是 编写程序 和 核实 在 关于 0.5 秒.
擦掉 是 accomplished 用 executing 这 擦掉 command sequence. 这个 将 invoke 这 embedded 擦掉
algorithm 这个 是 一个 内部的 algorithm 那 automatically preprograms 这 排列 如果 它 是 不 already 编写程序
在之前 executing 这 擦掉 运作. 在 擦掉, 这 设备 automatically 时间 这 擦掉 脉冲波 widths 和
核实 恰当的 cell 余裕.
(持续)
■
产品 线条 向上
(持续)
部分 非. CSR2930800BA
订货 部分 非. V
CC
= 3.0 v
+0.6 v
–0.3 v
-90
最大值 地址 进入 时间 (ns) 90
最大值 ce
进入 时间 (ns) 90
最大值 oe
进入 时间 (ns) 35
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