tr8 序列
硅 triacs
l
8 一个 rms, 70 一个 peak
l
glass 钝化的 wafer
l
400 v 至 800 v 止-状态 voltage
l
最大值I
GT
的 50 毫安 (quadrants 1 - 3)
MT1
MT2
G
至-220 包装
(顶 视图)
管脚 2 是 在 电的 联系 和 这 挂载 根基.
1
2
3
绝对 最大 比率
在 运行 情况 温度 (除非 否则 指出
)
注释: 1. 这些 值 应用 bidirectionally 为 任何 值 的 阻抗 在 这 门 和 主要的Terminal 1.
2. 这个 值 应用 为 50-hz 全部-sine-波 运作 和 resistive 加载. 在之上 85°c减额 成直线地 至 110°c情况 温度在
这 比率 的 320 毫安/°c.
3. 这个 值 应用 为 一个 50-hz 全部-sine-波 当 这 设备 是 运行 在 (或者 在下) 这 评估 值 的 在-状态 电流.
surge 将 是 重复的 之后 这 设备 有 returned 至 原来的 热的 equilibrium. 在 这 surge, 门 控制 将 是 lost.
4. 这个值应用为一个50-hzhalf-sine-波当这设备是运行 在(或者在下)这评估值的在-状态 电流.
surge 将 是 重复的 之后 这 设备 有 returned 至 原来的 热的 equilibrium. 在 这 surge, 门 控制 将 是 lost.
5. 这个 值 应用 为 一个 最大 averaging 时间 的 20 ms.
RATING SYMBOL VALUE UNIT
repetitive 顶峰 止-状态 电压 (看 便条 1)
tr8-400-70
tr8-600-70
tr8-700-70
tr8-800-70
V
DRM
400
600
700
800
V
全部-循环 rms 在-状态 电流 在 (或者 在下) 85°c情况 温度 (看 便条 2) I
t(rms)
8
一个
顶峰 在-状态 surge 电流 全部-sine-波 (看 便条 3) I
TSM
70
一个
顶峰 在-状态 surge 电流 half-sine-波 (看 便条 4) I
TSM
80 一个
顶峰 门 current I
GM
±1 一个
顶峰 门 电源 消耗 在 (或者 在下) 85°c 情况 温度 (脉冲波 宽度
£
200
m
s) P
GM
2.2 W
平均 门 电源 消耗 在 (或者 在下) 85°c情况 温度 (看 便条 5) P
g(av)
0.9 W
运行 情况 温度 range T
C
-40 至 +110 °C
存储 温度 range T
stg
-40 至 +125 °C
含铅的 温度 1.6 mm 从 情况 为 10 第二s T
L
230 °C
电的 特性 在 25°c情况 温度 (除非 否则 指出)
PARAMETER 测试 情况S
最小值 TYP 毫安X
UNIT
I
DRM
repetitive 顶峰
止-状态 current
V
D
= 评估V
DRM
I
G
=0 T
C
= 110°C ±2 m一个
I
GTM
顶峰 门 触发
current
V
supply
= +12V†
V
supply
= +12V†
V
supply
= -12V†
V
supply
= -12V†
R
L
= 10
W
R
L
= 10
W
R
L
= 10
W
R
L
= 10
W
t
p(g)
> 20
m
s
t
p(g)
> 20
m
s
t
p(g)
> 20
m
s
t
p(g)
> 20
m
s
2
-12
-9
20
50
-50
-50
m一个
V
GTM
顶峰 门 触发
voltage
V
supply
= +12V†
V
supply
= +12V†
V
supply
= -12V†
V
supply
= -12V†
R
L
= 10
W
R
L
= 10
W
R
L
= 10
W
R
L
= 10
W
t
p(g)
> 20
m
s
t
p(g)
> 20
m
s
t
p(g)
> 20
m
s
t
p(g)
> 20
m
s
0.7
-0.8
-0.8
0.9
2
-2
-2
2
V
†所有 电压 是 和 遵守 至 主要的终端 1.
: 点此下载
