c-157
修订 1
igbt sip 单元
特性
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
(igbt) 接合面-至-情况, 各自 igbt, 一个 igbt 在 传导 — 2.0
R
θ
JC
(二极管) 接合面-至-情况, 各自 二极管, 一个 二极管 在 传导 — 3.0 °c/w
R
θ
CS
(单元) 情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.1 —
Wt 重量 的 单元 20 (0.7) — g (oz)
• 全部地 分开的 打印 电路 板 挂载 包装
•切换-丧失 比率 包含 所有 "tail" losses
• hexfred
TM
软 ultrafast 二极管
• 优化 为 中等 运行 频率 (1 至
10khz) 看 图. 1 为 电流 vs. 频率 曲线
输出 电流 在 一个 典型 5.0 khz 发动机 驱动
产品 summary
快 igbt
CPV364MF
12 一个
RMS
每 阶段 (3.8 kw 总的) 和 t
C
= 90°c, t
J
= 125°c, 供应 电压 360vdc,
电源 因素 0.8, 调制 depth 80% (看 图示 1)
描述
这 igbt 技术 是 这 关键 至 国际的 整流器's 先进的 线条 的
ims (insulated metal 基质) 电源 modules. 这些 modules 是 更多
效率高的 比 comparable 双极 晶体管 modules, 当 在 这 一样 时间
having 这 simpler 门-驱动 (所需的)东西 的 这 familiar 电源 场效应晶体管.
这个 更好的 技术 有 now 被 结合 至 一个 状态 的 这 艺术 材料
系统 那 maximizes 电源 throughput 和 低 热的 阻抗. 这个
包装 是 高级地 suited 至 发动机 驱动 产品 和 在哪里 空间 是 在 一个
premium.
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流, 各自 igbt 27
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流, 各自 igbt 15
I
CM
搏动 集电级 电流 80 一个
I
LM
clamped inductive 加载 电流 80
I
F
@ t
C
= 100°c 二极管 持续的 向前 电流 9.3
I
FM
二极管 最大 向前 电流 80
V
GE
门-至-发射级 电压 ±20 V
V
ISOL
分开 电压, 任何 终端 至 情况, 1 分钟 2500 V
RMS
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗, 各自 igbt 63 W
P
D
@ t
C
= 100°c 最大 电源 消耗, 各自 igbt 25
T
J
运行 接合面 和 -40 至 +150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒. 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况)
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 5-7 lbf•in (0.55-0.8 n•m)
热的 阻抗
3
6
7 13 19
18
15
10 164
9
12
D1 D3 D5
D2 D4 D6
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
1
ims-2
pd - 5.022b
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