AT27BV010
1 megabit
(128k x 8)
无秩序的
电池-电压
OTP
cmos 非易失存储器
特性
•
快 读 进入 时间 - 70 ns
•
双 电压 范围 运作
无秩序的 电池 电源 供应 范围, 2.7v 至 3.6v
或者 标准 5v
±
10% 供应 范围
•
兼容 和 电子元件工业联合会 标准 at27c010
•
低 电源 cmos 运作
20
µ
一个 最大值 (较少 比 1
µ
一个 典型) 备用物品 为 v
CC
= 3.6v
29 mw 最大值 起作用的 在 5 mhz 为 v
CC
= 3.6v
•
电子元件工业联合会 标准 包装
32-含铅的 plcc
32-含铅的 tsop
•
高 可靠性 cmos 技术
2,000v 静电释放 保护
200 毫安 latchup 免除
•
迅速
程序编制 algorithm - 100
µ
s/字节 (典型)
•
cmos 和 ttl 兼容 输入 和 输出
电子元件工业联合会 标准 为 lvttl 和 lvbo
•
整体的 产品 identification 代号
•
商业的 和 工业的 温度 范围
描述
这 at27bv010 是 一个 高 效能, 低 电源, 低 电压 1,048,576 位 一个-
时间 可编程序的 读 仅有的 记忆 (otp 非易失存储器) 有组织的 作 128k 用 8 位.
它 需要 仅有的 一个 供应 在 这 范围 的 2.7v 至 3.6v 在 正常的 读 模式 opera-
tion, 制造 它 完美的 为 快, 可携带的 系统 使用 也 管制 或者 无秩序的
电池 电源.
atmel’s 革新的 设计 技巧 提供 快 speeds 那 rival 5v 部分 当
keeping 这 低 电源 消耗量 的 一个 3v 供应. 在 v
CC
= 2.7v, 任何 字节 能 是
accessed 在 较少 比 70 ns. 和 一个 典型 电源 绘制 的 仅有的 18 mw 在 5 mhz 和
V
CC
= 3v, 这 at27bv010 消费 较少 比 一个 fifth 这 电源 的 一个 标准 5v
(持续)
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a16 地址
o0 - o7 输出
CE 碎片 使能
OE 输出 使能
PGM 程序 strobe
NC 非 连接
plcc 顶 视图
tsop 顶 视图
类型 1
0344E
AT27BV010
3-23
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