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mrf18085br3 mrf18085blsr3
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
rf 电源 地方 效应 晶体管
N-频道 增强-模式 lateral mosfets
设计 为 gsm 和 gsm 边缘 根基 station 产品 和
发生率 从 1.9 至 2.0 ghz. 合适的 为 tdma, cdma, 和 multicarrier
放大器 产品.
•
gsm 和 gsm 边缘 效能, 全部 频率 带宽 (1930-1990
mhz)
电源 增益-12.5 db (典型值) @ 85 watts cw
效率 -50% (典型值) @ 85 watts cw
•
内部 matched, 控制 q, 为 使容易 的 使用
•
高 增益, 高 效率, 和 高 线性
•
整体的 静电释放 保护
•
设计 为 最大 增益 和 嵌入 阶段 flatness
•
有能力 的 处理 5:1 vswr, @ 26 vdc, @ p1db 输出 电源,
@ f = 1930 mhz
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
有 和 低 金 镀层 厚度 在 leads. l 后缀 indicates
40
µ″
名义上的.
•
在 录音带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 每 56 mm, 13 inch 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
流-源 电压 V
DSS
65 Vdc
门-源 电压 V
GS
-0.5, +15 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
273
1.56
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
- 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 值 (1) 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.79
°
c/w
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 1 (最小)
机器 模型 m3 (最小)
(1) 谈及 至 an1955/d,
热的 度量 methodology 的 rf 电源 放大器.
go 至 http://www.motorola.com/半导体/rf.
选择 必备资料/应用 注释-an1955.
便条 -
提醒
-mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf18085b/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF18085BR3
MRF18085BLSR3
gsm/gsm 边缘
1.9-1.99 ghz, 85 w, 26 v
lateral n-频道
rf 电源 mosfets
情况 465-06, 样式 1
NI-780
MRF18085BR3
情况 465a-06, 样式 1
NI-780S
MRF18085BLSR3
motorola, 公司 2004
rev 3
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freescale 半导体, 公司
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go 至: www.freescale.com
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