8月1996
NDT410EL
N-频道 逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
___________________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDT410EL 单位
V
DSS
流-源 电压 100 V
V
GSS
门-源 电压 20 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) 2.1 一个
- 搏动 10
P
D
最大 电源 消耗(便条 1a) 3 W
(note 1b) 1.3
(note 1c)
1.1
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -65 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 42 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 12 °c/w
* 顺序 选项 j23z 为 cropped 中心 流 含铅的.
NDT410ELrev. b1
电源 sotn-channel 逻辑 水平的 增强 模式
电源 地方 效应 晶体管 是 生产 使用
仙童's 专卖的, 高 cell 密度, dmos
技术. 这个 非常 高 密度 处理 是 特别
tailored 至 降低 在-状态 阻抗, 提供 更好的
切换 效能, 和 承受 高 活力 脉冲
在 这 avalanche 和 commutation 模式.这些 设备
是 特别 suited 为 低 电压 产品 此类 作
automotive, 直流/直流 转换器, pwm 发动机 控制, 和
其它 电池 powered 电路 在哪里 快 切换, 低
在-线条 电源 丧失, 和 阻抗 至 过往旅客 是 需要.
2.1一个 100v. r
ds(在)
= 0.25
Ω
@V
GS
= 5v.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个 widely 使用
表面 挂载 包装.
D
D S
G
D
S
G
© 1997 仙童 半导体 公司
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