BSS79C_集成电路资料查询网

bss79, bss81
1 十一月-30-2001
npn 硅 切换 晶体管

高 直流 电流 增益: 0.1ma 至 500 毫安

低 集电级-发射级 饱和 电压

complementary 类型: bss80, bss82 (pnp)
1
2
3
VPS05161
类型 标记 管脚 配置 包装
BSS79B
BSS79C
BSS81B
BSS81C
CEs
CFs
CDs
CGs
1 = b
1 = b
1 = b
1 = b
2 = e
2 = e
2 = e
2 = e
3 = c
3 = c
3 = c
3 = c
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
最大 比率
参数
标识
BSS79 BSS81
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
40 35 V
集电级-根基 电压
V
CBO
75 V
发射级-根基 电压
V
EBO
6
直流 集电级 电流
I
C
800 毫安
顶峰 集电级 电流
I
CM
1 一个
根基 电流
I
B
100 毫安
顶峰 根基 电流
I
BM
200
总的 电源 消耗
,
T
S
= 77 °c
P
tot
330 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
-65 ...  150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS

220 k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗

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bss79, bss81 1 十一月-30-2001 npn 硅切换晶体管  高直流电流增益: 0.1ma 至 500 毫安  低集电级-发射级饱和电压  complementary 类型: bss80, bss82 (pnp) 1 2 3 VPS05161 类型标记管脚配置包装 BSS79B BSS79C BSS81B BSS81C CEs CFs CDs CGs 1 = b 1 = b 1 = b 1 = b 2 = e 2 = e 2 = e 2 = e 3 = c 3 = c 3 = c 3 = c SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 最大比率参数标识 BSS79 BSS81 单位集电级-发射级电压 V CEO 40 35 V 集电级-根基电压 V CBO 75 V 发射级-根基电压 V EBO 6 直流集电级电流 I C 800 毫安顶峰集电级电流 I CM 1 一个根基电流 I B 100 毫安顶峰根基电流 I BM 200 总的电源消耗 , T S = 77 °c P tot 330 mW 接合面温度 T j 150 °C 存储温度 T stg -65 ... 150 热的阻抗接合面 - 焊接要点 1) R thJS  220 k/w 1 为计算的 R thJA 请谈及至应用便条热的阻抗

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