NESG2021M05
nec's npn sige
高 频率 晶体管
M05
描述
nec's nesg2021m05 是 fabricated 使用 necʼs 高 电压
硅 germanium 处理 (uhs2-hv), 和 是 设计 为
一个宽范围的产品包含低噪音amplifiers,
中等 电源 amplifiers, 和 oscillators.
necʼs 低 profile, flat 含铅的 样式 m05 包装 提供 高
频率 效能 为 紧凑的 无线的 设计.
•
高 损坏 电压 sige 技术
V
CEO
= 5 v (绝对 最大)
•
低 噪音 图示:
NF
= 0.9 db 在 2 ghz
NF
= 1.3 db 在 5.2 ghz
• 高 最大 稳固的 增益:
MSG
= 22.5 db 在 2 ghz
•
低 profile m05 包装:
sot-343 footprint, 和 一个 height 的 仅有的 0.59 mm
flat 含铅的 样式 为 更好的 rf 效能
•
铅 自由
特性
注释:
1. msg =
2. 集电级 至 根基 电容 是 量过的 用 电容 计量表 (自动 balance 桥 方法) 当 发射级 管脚 是 连接 至
这 守卫 管脚.
3. 搏动 度量, 脉冲波 宽度
≤
350
μ
s, 职责 循环
≤
2 %.
S
21
S
12
数据 薄板
部分 号码 NESG2021M05
包装 外形 M05
SYMBOLS 参数 和 情况 单位 最小值 典型值 最大值
NF 噪音 图示 在 v
CE
= 2 v, i
C
= 3 毫安, f = 5.2 ghz, dB 1.3
Z
S
= z
SOPT
, zl = z
LOPT
G
一个
有关联的 增益 在 v
CE
= 2 v, i
C
= 3 毫安, f = 5.2 ghz, dB 10.0
Z
S
= z
SOPT
, zl = z
LOPT
NF 噪音 图示 在 v
CE
= 2 v, i
C
= 3 毫安, f = 2 ghz, dB 0.9 1.2
Z
S
= z
SOPT
, zl = z
LOPT
G
一个
有关联的 增益 在 v
CE
= 2 v, i
C
= 3 毫安, f = 2 ghz, dB 15.0 18.0
Z
S
= z
SOPT
, zl = z
LOPT
MSG 最大 稳固的 增益
1
在 v
CE
= 3 v, i
C
= 10 毫安, f = 2 ghz dB 20.0 22.5
|S
21E
|
2
嵌入 电源 增益 在 v
CE
= 3 v, i
C
= 10 毫安, f = 2 ghz dB 17.0 19.0
P
1dB
输出 电源 在 1db 压缩 要点 在 dBm 9.0
V
CE
= 3 v, i
C
= 12 毫安, f = 2 ghz
OIP
3
输出 3rd 顺序 intercept 要点 在 v
CE
= 3 v, i
C
= 12 毫安, f = 2 ghz dBm 17.0
f
T
增益 带宽 产品 在 v
CE
= 3 v, i
C
= 10 毫安, f = 2 ghz GHz 20 25
C
re
反转 转移 电容
2
在 v
CB
= 2 v, i
C
= 0 毫安, f = 1 ghz pF 0.1 0.2
I
CBO
集电级 截止 电流 在 v
CB
= 5v, i
E
= 0 nA 100
I
EBO
发射级 截止 电流 在 v
EB
= 1 v, i
C
= 0 nA 100
h
FE
直流 电流 增益
3
在 v
CE
= 2 v, i
C
= 5 毫安 130 190 260
电的 特性
(t
一个
= 25°c)
直流 RF
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