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08/30/05
IRF6648
DirectFET
电源 场效应晶体管
DirectFET
ISOMETRIC
适用 directfet 外形 和 基质 外形 (看 p.7,8 为 详细信息)
描述
这 irf6648 结合 这 最新的 hexfet® 电源 场效应晶体管 硅 技术 和 先进的 directfet
TM
包装 至
达到 这 最低 在-状态 阻抗 在 一个 包装 那 有 这 footprint 的 一个 所以-8 和 仅有的 0.7 mm profile. 这 directfet
包装 是 兼容 和 存在 布局 geometries 使用 在 电源 产品, pcb 组装 设备 和 vapor 阶段,
infra-red 或者 convection 焊接 技巧, 当 应用 便条 一个-1035 是 followed 关于 这 制造 方法
和 处理. 这 directfet 包装 准许 双 sided 冷却 至 maximize 热的 转移 在 电源 系统, improving
previous 最好的 热的 阻抗 用 80%.
这 irf6648 是 一个 优化 转变 为 使用 在 同步的 整流 电路 和 5-12vout, 和 是 也 完美的 为 使用 作 一个
primary 一侧 转变 在 24vin 向前 转换器. 这 减少 总的 losses 在 这 设备 结合 和 这 高 水平的 的 热的
效能 使能 高 效率 和 低 温度, 这个 是 关键 为 系统 可靠性 改进, 和 制造 这个
设备 完美的 为 高 效能 分开的 直流-直流 转换器.
rohs 一致的 containing 非 含铅的 和 bromide
低 profile (<0.7 mm)
双 sided 冷却 兼容
过激 低 包装 电感
优化 为 高 频率 切换
优化 为 同步的 整流 为 5v
至 12v 输出
完美的 为 24v 输入 primary 一侧 向前 转换器
低 传导 losses
兼容 和 存在 表面 挂载 技巧
click 在 这个 部分 至 link 至 这 适合的 技术的 paper.
click 在 这个 部分 至 link 至 这 directfet 网站.
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
T
C
量过的 和 thermocouple 挂载 至 顶 (流) 的 部分.
SH SJ SP MZ
MN
V
DSS
V
GS
R
ds(在)
Q
g tot
Q
gd
60v 最大值 ±20v 最大值
5.5m
Ω
@ 10v 36nC 14nC
绝对 最大 ratings
参数 单位
V
DS
流-至-源 电压 V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
f
I
D
@ t
C
= 70°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
f
I
DM
搏动 流 电流
e
一个
I
S
@ t
C
= 25°c
持续的 源 电流 (身体 二极管)
f
I
S
@ t
C
= 70°c
持续的 源 电流 (身体 二极管)
f
I
SM
搏动 源 电流 (身体 二极管)
e
69
最大值
±20
60
86
260
260
81
52
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