STW15NB50
STH15NB50FI
n-频道 500V - 0.33
Ω
- 14.6a -
t0-247/isowatt218 PowerMESH
场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 0.33
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
±
30V 门 至 源 电压 比率
■
100% AVALANCHE 测试
■
非常 低 INTRINSIC CAPACITANCES
■
门 承担 使减少到最低限度
描述
使用 这 最新的 高 电压 MESH OVERLAY
处理, sgs-thomson 有 设计 一个
先进的 家族 的 电源 MOSFETs 和
outstanding performances. 这 新 专利权
pending strip 布局 结合 和 这 Company’s
专卖的 边缘 末端 结构, 给 这
最低 rds(在) 每 范围, exceptional avalanche
和 dv/dt 能力 和 unrivalled 门 承担
和 切换 特性.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
转变 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 WELDING
设备 和 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 和 发动机 驱动
内部的 图式 图解
绝对 最大 比率
标识 Parameter 值 Unit
STW15NB50 STH15NB50FI
V
DS
流-源 Voltage (v
GS
=0) 500 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
500 V
V
GS
Gate-源 Voltage
±
30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=25
o
C 14.6 10.5 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=100
o
c9.26.6a
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 58.4 58.4 一个
P
tot
Total 消耗 在 T
c
=25
o
C19080W
减额 Fact或者 0.64 1.52 w/
o
C
dv/dt(
1
) 顶峰 二极管 Recovery 电压 斜度 4 v/ns
V
ISO
Insulation 承受 Voltage (直流) 4000 V
T
stg
存储 Temperature -65 至 150
o
C
T
j
最大值 O每ating 接合面 Temperature 150
o
C
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STW15NB50
STH15NB50FI
500 V
500 V
<0.36
Ω
<
0.36
Ω
14.6 一个
10.5 一个
六月 1998
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3
至-247 ISOWATT218
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