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资料编号:511103
 
资料名称:STP5NB80
 
文件大小: 107.69K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
STP5NB80
STP5NB80FP
N - 频道 800V - 1.8
- 5A - 至-220/至-220fp
PowerMESH
场效应晶体管
典型 R
ds(在)
= 1.8
极其 dv/dt 能力
100% AVALANCHE 测试
非常 INTRINSIC CAPACITANCES
承担 使减少到最低限度
描述
使用 最新的 电压 MESH OVERLAY
处理, 意法半导体 设计 一个
先进的 家族 电源 MOSFETs
优秀的 performances. 专利权
pending strip 布局 结合 Company’s
专卖的 边缘 末端 结构,
最低 rds(在) 范围, exceptional avalanche
dv/dt 能力 unrivalled 承担
切换 特性.
产品
电流, 切换
转变 模式 电源 供应 (smps)
直流-交流 转换器 WELDING
设备 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 发动机 驱动
内部的 图式 图解
January 1999
至-220 至-220fp
1
2
3
1
2
3
绝对 最大 比率
标识 参数 单位
STP5NB80 STP5NB80FP
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0) 800 V
V
DGR
流- gate 电压 (r
GS
=20k
)
800 V
V
GS
门-源 电压
±
30 V
I
D
电流 (内容inuous) T
c
=25
o
c55(*)一个
I
D
电流 (内容inuous) T
c
= 100
o
C 3.2 3.2(*) 一个
I
DM
(
) 电流 (pulsed) 20 20 一个
P
tot
Total 消耗 T
c
=25
o
C 110 40 W
Derating Fact或者 0.88 0.32 W/
o
C
dv/dt(
1
) Peak 二极管 恢复 电压 斜度 4 4 v/ns
V
ISO
绝缘 承受 电压 (直流)
2000 V
T
stg
存储 Temperature -65 150
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 Temperature 150
o
C
(*) 限制 仅有的 最大 温度 允许 (
1
)i
SD
5a, di/dt
200 一个/
µ
s, V
DD
V
(br)dss
,tj
T
JMAX
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP5NB80
STP5NB80FP
800 V
800 V
<2.2
<2.2
5A
5A
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