74V1T125
单独的 总线 缓存区 (3-状态)
October 1999
■
高 速: t
PD
= 3.8 ns (典型值.) 在 V
CC
=5V
■
低 电源 消耗:
I
CC
=1
µ
一个 (最大值.) 在 T
一个
=25
o
C
■
兼容 和 TTL 输出:
V
IH
=2v(最小值),v
IL
= 0.8v (最大值)
■
电源 向下 保护 在 输入 &放大;
输出
■
对称的 输出 阻抗:
|I
OH
|=I
OL
= 8 毫安 (最小值)
■
保持平衡 传播 延迟:
t
PLH
≅
t
PHL
■
运行 电压 范围:
V
CC
(opr) = 4.5v 至 5.5v
■
改进 获得-向上 免除
描述
这 74V1T125 是 一个 先进的 高-速
CMOS 单独的 总线 缓存区 fabricated 和
sub-micron 硅 门 和 翻倍-layer metal
线路 C
2
MOS 技术.
3-状态 控制 输入 G 有 至 是 设置 高 至
放置 这 输出 在 这 高 阻抗 状态.
电源 向下 保护 是 提供 在 所有 输入
和 0 至 7V 能 是 accepted 在 输入 和 非
关于 至 这 供应 电压. 这个 设备 能 是
使用 至 接口 5V 至 3v.
管脚 连接 和 IEC 逻辑 SYMBOLS
顺序 代号:
74V1T125S
S
(sot23-5l)
C
(sc-70)
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