1/24十一月 2004
M29F102BB
1 mbit (64kb x16, 激励 块) 单独的 供应 flash 记忆
特性 summary
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单独的 5v±10% 供应 电压 为
程序, 擦掉 和 读
行动
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进入 时间: 35ns
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程序编制 时间
– 8µs 每 文字 典型
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5 记忆 blocks
– 1 激励 块 (bottom location)
– 2 参数 和 2 主要的 blocks
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程序/擦掉 控制
– embedded 文字 程序 algorithm
– embedded multi-块/碎片 擦掉
algorithm
– 状态 寄存器 polling 和 toggle 位
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擦掉 suspend 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 suspend
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unlock 绕过 程序 command
– faster 生产/批 程序编制
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temporary 块 unprotection
模式
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低 电源 消耗量
– 备用物品 和 自动 备用物品
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100,000 程序/擦掉 循环 每
块
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m28f102 兼容
– 管脚-输出 和 读 模式
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20 年 数据 保持
– defectivity 在下 1 ppm/年
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电子的 signature
– 生产者 代号: 0020h
– bottom 设备 代号 m29f102bb: 0097h
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包装
– 一致的 和 含铅的-自由 焊接
处理
– 含铅的-自由 版本
图示 1. 包装
tsop40 (n)
10 x 14mm
plcc44 (k)
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