AI02078C
18
a0-a17
W
dq0-dq7
V
CC
M29F002T
M29F002B
M29F002NT
E
V
SS
8
G
(*) RPNC
图示 1. 逻辑 图解
m29f002t, M29F002NT
M29F002B
2 Mbit (256kb x8, 激励 块) 单独的 供应 Flash 记忆
5V
±
10% 供应 电压 为 程序,
擦掉 和 读 行动
快 进入 时间: 70ns
快 程序编制 时间: 10
µ
s 典型
程序/擦掉 控制 (p/e.c.)
– 程序 字节-用-字节
– 状态 寄存器 位
记忆 BLOCKS
– 激励 块 (顶 或者 Bottom location)
– 参数 和 主要的 blocks
块, multi-块 和 碎片 擦掉
multi-块 保护/temporary
UNPROTECTION 模式
擦掉 SUSPEND 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 Suspend
低 电源 消耗量
– 保卫-用和 自动 保卫-用
100,000 程序/擦掉 循环 每
块
20 年 数据 保持
– Defectivity 在下 1ppm/年
电子的 SIGNATURE
– 生产者 代号: 20h
– 设备 代号, m29f002t: B0h
– 设备 代号, m29f002nt: B0h
– 设备 代号, m29f002b: 34h
描述
这 M29F002 是 一个 非-易变的 记忆 那 将
是 erased 用电气 在 这 块 或者 碎片 水平的 一个nd
编写程序 在-系统 在 一个 字节-用-字节 基准
使用 仅有的 一个 单独的5V V
CC
供应.为 程序和
擦掉 行动 这 需要 高 电压 是
发生 内部. 这 设备 能 也 是 pro-
grammed 在 标准 programmers.
这 排列 矩阵变换 organisation 准许 各自 块 至
是 erased 和 reprogrammed 没有 影响
其它 blocks. Blocks 能 是 保护 相反 pro-
graming 和 擦掉 在 程序编制 设备,
和 temporarily unprotected 至 制造 改变 在
这 应用. 各自 块 能 是 编写程序
和 erased 在 100,000 循环.
July 1998 1/29
PLCC32 (k)
32
1
PDIP32 (p)
TSOP32 (n)
8 x 20mm
便条:
* RPNC 函数 是 不 有 为 这 M29F002NT
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