1/9august 2001
■
高 速度:
t
pd
= 13ns (典型值.) 在 v
抄送
= 4.5v
■
低 电源 耗散:
我
抄送
= 4
µ
一个(最大值.) 在 t
一个
=25°C
■
兼容 与 ttl 产出 :
v
ih
= 2v (最小.) v
il
= 0.8v (最大值)
■
平衡式 传播 延误:
t
PLH
≅
t
PHL
■
对称 输出 阻抗:
|I
哦
| = 我
ol
= 6ma (最小)
■
管脚 和 功能 兼容 与
74 系列 125
描述
这 m74hct125 是 一个 高 速度 cmos 四边形
缓冲区 (3-州) 预制 与 硅 闸门
c
2
mos 技术.
这 设备 需要 这 3-州 控制 输入 g
至 是 设置 高 至 地点 这 输出 入点 至 这 高
阻抗 州.
这 m74hct125 是 设计 至 直接 接口
HSC
2
mos 系统 与 ttl 和 nmos
组件.
全部 输入 是 配备 与 保护 电路
反对 静态 放电 和 瞬态 超额
电压.
M74HCT125
四边形 总线 缓冲区 (3-州)
管脚 连接 和 iec 逻辑 符号
订单 代码
包装 导管 t &放大器; 右
倾角 M74HCT125B1R
SOP M74HCT125M1R M74HCT125RM13TR
TSSOP M74HCT125TTR
TSSOPDIP SOP
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