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资料编号:101796
 
资料名称:BC857ALT1
 
文件大小: 109.14K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 收音机 公司, 有限公司.
m5–1/5
1
3
2
概述 目的 晶体管
pnp 硅
最大值 额定值
评级 符号 BC856 BC857 BC858 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
–65 –45 –30 v
collector–base 电压 v
CBO
–80 –50 –30 v
emitter–base 电压 v
EBO
–5.0 –5.0 –5.0 v
收集器 电流 — 连续
c
–100 –100 –100 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
p
d
t
一个
= 25°c 225 mw
降额 以上 25°c 1.8 mw/°c
热 电阻, 接合点 至 环境
θ
ja
556 °c/w
合计 设备 耗散 p
d
氧化铝 基材, (2) t
一个
= 25°c 300 mw
降额 以上 25°c 2.4 mw/°c
热 电阻, 接合点 至 环境
θ
ja
417 °c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
bc856alt1 = 3a; bc856blt1 = 3b; bc857alt1 = 3e; bc857blt1 = 3f;
bc858alt1 = 3j; bc858blt1 = 3k; bc858clt1 = 3l
电气 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明.)
特性 符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
collector–emitter 击穿 电压
bc856 系列 – 65
(我
c
= –10 ma) bc857 系列 v
(br)ceo
– 45 v
bc858 系列 – 30
collector–emitter 击穿 电压
bc856 系列 – 80
(我
c
= –10
µ
一个, v
eb
= 0) bc857 系列 v
(br)消费电子展
– 50 v
bc858 系列 – 30
collector–base 击穿 电压 bc856 系列 – 80
(我
c
= – 10
µ
一个) bc857 系列 v
(br)cbo
– 50 v
bc858 系列 – 30
emitter–base 击穿 电压 bc856 系列 – 5.0
(我
e?
= – 1.0
µ
一个) bc857 系列, v
(br)ebo
– 5.0 v
bc858 系列 – 5.0
收集器 截止 电流 (v
cb
= – 30 v)
CBO
– 15 不适用
(v
cb
= – 30 v, t
一个
= 150°c) – 4.0
µ
一个
bc856alt1, blt1
bc857alt1, blt1
bc858alt1, blt1
CLT1
2
发射器
3
收集器
1
底座
案例 318–08, 风格 6
sot–23 (to–236ab)
1.fr–5=1.0 x 0.75 x 0.062in
2. 氧化铝 = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
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