TLF5209
MM54HC365MM54HC366MM54HC367MM54HC368
MM74HC365MM74HC366MM74HC367MM74HC368
January 1988
MM54HC365MM74HC365 十六进制 触发-状态
缓存区
MM54HC366MM74HC366 反相的 十六进制 触发-状态 缓存区
MM54HC367MM74HC367 十六进制 触发-状态 缓存区
MM54HC368MM74HC368 反相的 十六进制 触发-状态 缓存区
一般 描述
这些 触发-状态 缓存区 是 一般 目的 高 速
反相的 和 非-反相的 缓存区 那 utilize 先进的 sili-
con-门 CMOS technology 它们 有 高 驱动 电流
输出 这个 使能 高 速 运作 甚至 当 driv-
ing 大 总线 capacitances 这些 电路 possess 这 低
电源 消耗 的 CMOS circuitry 还 有 speeds com-
parable 至 低 电源 肖特基 TTL circuits 所有 4 电路 是
有能力 的 驱动 向上 至 15 低 电源 肖特基 inputs
这 MM5474HC366 和 这 MM5474HC368 是 反相的
buffers 在哪里 作 这 MM5474HC365 和 这 MM54
74HC367 是 非-反相的 buffers 这 MM5474HC365
和 这 MM5474HC366 有 二 触发-状态 控制 在-
puts (g1
和 g2) 这个 是 NORed 一起 至 控制 所有
六 gates 这 MM5474HC367 和 这 MM5474HC368
也 有 二 输出 enables 但是 一个 使能 (g1
) 控制
4 门 和 这 其它 (g2
) 控制 这 remaining 2 gates
所有 输入 是 保护 从 损坏 预定的 至 静态的 dis-
承担 用 二极管 至 V
CC
和 ground
特性
Y
典型 传播 delay 15 ns
Y
宽 运行 电压 range 2V–6V
Y
低 输入 current 1
m
一个 最大
Y
低 安静的 current 80
m
一个 最大 (74 序列)
Y
输出 驱动 capability 15 ls-ttl 负载
连接 图解
双-在-线条 PackagesTop Views
TLF5209–1
顺序 号码 MM54HC365 或者 MM74HC365
TLF5209–3
顺序 号码 MM54HC367 或者 MM74HC367
TLF5209–2
顺序 号码 MM54HC366 或者 MM74HC366
TLF5209–4
顺序 号码 MM54HC368 或者 MM74HC368
触发-状态
是 一个 注册 商标 的 国家的 半导体 Corporation
C
1995 国家的 半导体 公司 rrd-b30m105printed 在 U S A