32,64 meg x 64 sdram dimms micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
sd8_16c32_64x64ag_c.fm - rev. c 11/02
1
©2002, micron 技术 公司
256mb / 512mb (x64)
168-管脚 sdram dimms
同步的
dram 单元
mt8lsdt3264a(i) - 256mb
mt16lsdt6464a(i) - 512mb
为 这 最新的 数据 薄板, 请 谈及 至 这 micron 网
站点:www.micron.com/moduleds
特性
• pc100- 和 pc133-一致的
• 电子元件工业联合会-标准 168-管脚, 双 在-线条 记忆
单元 (dimm)
•Unbuffered
• 256mb (32 meg x 64), 512mb (64 meg x 64)
• 单独的 +3.3v ±0.3v 电源 供应
• 全部地 同步的; 所有 信号 注册 在 积极的
边缘 的 系统 时钟
• 内部的 pipelined 运作; column 地址 能
是 changed 每 时钟 循环
• 内部的 sdram banks 为 hiding 行 进入/precharge
• 可编程序的 burst 长度s: 1, 2, 4, 8, 或者 全部 页
• 自动 precharge, 包含 concurrent 自动
precharge, 和 自动 refresh 模式
• 64ms, 8,192 循环 自动 refresh 循环
• 自 refresh 模式
• lvttl-兼容 输入 和 输出
• 串行 存在-发现 (spd)
图示 1: 168-管脚 dimm (mo–161)
选项 标记
•Package
Unbuffered 一个
168-管脚 dimm (金)
G
•operating 温度 范围
商业的 (0°c 至 +70°c)
毫无
工业的 (-40°c 至 +85°c)
1
便条:
1. 咨询 micron 为 有效性; 工业的 tempera-
ture 选项 有 在 -133 速 仅有的.
I
• 记忆 时钟/cas latency
(133 mhz)/cl = 2
-13e
(133 mhz)/cl = 3
-133
(100 mhz)/cl = 2
-10e
表格 1: 地址 表格
256MB
单元
512MB
单元
refresh 计数
8K 8K
设备 banks
4 (ba0, ba1) 4 (ba0, ba1)
设备 配置
32 meg x 8 32 meg x 8
行 寻址
8k (a0–a12) 8k (a0–a12)
column 寻址
1k (a0–a9) 1k (a0–a9)
单元 banks
1 (s0,s2) 2 (s0,s2; s1,s3)
表格 2: 定时 参数
单元
MARKINGS
PC100
cl -
t
rcd -
t
RP
PC133
cl -
t
rcd -
t
RP
-13e 2 - 2 - 2 2 - 2 - 2
-133 2 - 2 - 2 3 - 3 - 3
-10e 2 - 2 - 2 NA
表格 3: 部分 号码
PARTNUMBER
1
便条:
1. 这 designators 为 组件 和 pcb 修订
是 这 last 二 characters 的 各自 部分 号码.
咨询 工厂 为 电流 修订 代号. 例子:
mt8lsdt3264ag-133b1
.
配置
系统
总线 速
mt8lsdt3264ag-13e_
32 meg x 64 133 mhz
mt8lsdt3264ag(i)-133_
32 meg x 64 133 mhz
mt8lsdt3264ag-10e_
32 meg x 64 100 mhz
mt16lsdt6464ag-13e_
64 meg x 64 133 mhz
mt16lsdt6464ag(i)-133_
64 meg x 64 133 mhz
mt16lsdt6464ag-10e_
64 meg x 64 100 mhz
标准
低 profile
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