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注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 静电 放电; 跟着 适当的 集成电路 搬运 程序.
http://www.intersil.com 或 407-727-9207
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版权
©
intersil 公司 1999
hs-82c55arh
辐射 硬化
cmos 可编程 外围设备 接口
引出线
40 铅 陶瓷 双列直插式
金属 密封 包装 (sbdip)
密耳-标准-1835 cdip2-t40
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管脚 描述
管脚 描述
d7 - d0 数据 总线 (bi-定向
重置 重置 输入
cs 芯片 选择
rd 阅读 输入
wr 写 输入
a0 - a1 港口 地址
pa7 - pa0 港口 一个 (有点)
铅&放大器; - pb0 港口 b (有点)
pc7 - pc0 港口 c (有点)
VDD +5 伏特
地 0 伏特
13
1
2
3
4
5
6
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8
9
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19
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pa3
pa2
pa1
pa0
rd
cs
地
A1
A0
PC7
PC6
PC5
PC4
PC0
PC1
PC2
PC3
PB0
PB1
PB2
28
40
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30
29
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25
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23
22
21
pa4
pa5
pa6
pa7
wr
重置
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
VDD
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
特点
• 辐射 硬化
- 合计 剂量 >10
5
rad (si)
- 瞬态 心烦 &指示灯;10
8
rad (si)/s
- 门闩 向上 免费 epi-cmos
• 低 电源 消费
- iddsb = 20
µ
一个
• 管脚 兼容 与 nmos 8255a 和 这 intersil 82c55a
• 高 速度, 否 “wait state” 操作 与 5mhz hs-80c86rh
• 24 可编程 我/o 针脚
• 总线-保持 电路 开启 全部 我/o 端口 消除 上拉 电阻
• 直接 有点 设置/重置 能力
• 增强型 控制 字 阅读 能力
• 硬化 字段, 自我-对齐, 接合点 隔离 cmos 流程
• 单独 5v 供应
• 2.0ma 驱动器 能力 开启 全部 我/o 港口 产出
• 军事 温度 范围: -55
o
c 至 +125
o
c
描述
这 intersil hs-82c55arh 是 一个 高 业绩, 辐射 硬化
cmos 版本 的 这 行业 标准 8255a 和 是 已制造 使用 一个
硬化 field, 自我-对齐 silicongate cmos 流程. 它 是 一个 概述
目的 可编程 我/o 设备 哪个 将 是 已使用 与 许多 不同的
微处理器. 那里 是 24 我/o 针脚 哪个 是 有组织的 进入 两个 8-有点
和 两个 4-有点 端口. 每个 港口 将 是 编程 至 功能 作为 要么 一个
输入 或 一个 输出. 另外, 一个 的 这 8-有点 端口 将 是 编程
用于 双向 操作,和 这 两个 4-有点 端口 可以 是 编程 至
提供 握手 能力. 这 高 业绩, 辐射
硬度, 和 行业 标准 配置 的 这 hs-82c55arh 制造
它 兼容 与 这 hs-80c86rh 辐射 硬化 微处理器.
静态 cmos 电路 设计 保险 低 操作 电源. 总线 保持 电路
消除 这 需要 用于 上拉 电阻. 这 intersil 硬化 field cmos
流程 结果 入点 业绩 相等 至 或 更大 比 现有 辐射
耐 产品 在 一个 分数 的 这 电源.
订购 信息
零件 号码 温度 包装
hs1-82c55arh-q -55
o
c 至 +125
o
c 40 铅 sbdip
hs1-82c55arh-8 -55
o
c 至 +125
o
c 40 铅 sbdip
hs1-82c55arh/样品 +25
o
c 40 铅 sbdip
九月 1995
规格 号码
518060
文件 号码
3191.1
db 不适用
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