1
s29c51004t/s29c51004b
v1.0
将
2002
特性
■
512kx8-位 organization
■
地址 进入 时间: 70, 90, 120 ns
■
单独的 5v
±
10% 电源 供应
■
sector 擦掉 模式 运作
■
16kb 激励 块 (lockable)
■
1k 字节 每 sector, 512 sectors
–sector-擦掉 循环 时间: 10ms (最大值)
–
字节-写 循环 时间:
3
5
µ
s (最大值)
■
最小 10,000 擦掉-程序 循环
■
低 电源 消耗
–起作用的 读 电流: 20ma (典型值)
–
起作用的 程序 电流: 30ma (典型值)
–
备用物品 电流:
100
µ
一个 (最大值)
■
硬件 数据 保护
■
低 v
CC
程序 inhibit 在下 3.5v
■
自-安排时间 写/擦掉 行动 和 终止-的-cy-
cle 发现
–数据
Polling
–
toggle 位
■
cmos 和 ttl 接口
■
有 在
一个
版本
–
s29c51004t (顶 激励 块)
■
包装:
–32-管脚 塑料 插件
–
32-管脚 tsop-i
–
32-管脚 plcc
描述
这 s29c51004t/s29c51004b 是 一个 高 速
524,288 x 8 位 cmos flash 记忆. writing 或者
erasing 这 设备 是 完毕 和 一个 单独的 5 volt
电源 供应. 这 设备 有 独立的 碎片 使能
CE
, 写 使能 我们, 和 输出 使能 oe
控制 至 eliminate 总线 contention.
这
s29c51004t/s29c51004b 提供 一个 combi-
nation 的: 激励 块 和 sector 擦掉/写
模式. 这 终止 的 写/擦掉 循环 是 发现 用
数据
polling 的 i/o
7
或者 用 这 toggle 位 i/o
6
.
Th
e
S
29c51004t/s29c51004b 特性 一个
sector 擦掉 运作 这个 准许 各自 sector 至
是 erased 和 reprogrammed 没有 影响
数据 贮存 在 其它 sectors. 这 设备 也
支持 全部 碎片 擦掉.
激励 块 architecture 使能 这 设备 至
激励 从 一个 保护 sector located 也 在 这
顶 (s29c51004t) 或者 这 bottom (s29c51004b).
所有 输入 和 输出 是 cmos 和 ttl
兼容.
TheS29c51004t/s29c51004b 是 完美的 为
产品 那 需要 updatable 代号 和 数据
存储.
SyncMOS
T
echnologies
公司
S
29c51004t/
S
29C51004B
4 megabit (524,288 x 8
位)
5
V
O
L
T
cmos flash memo
R
Y
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