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资料编号:1042675
 
资料名称:S29C51004B70P
 
文件大小: 3205K
   
说明
 
介绍:
4 MEGABIT (524,288 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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s29c51004t/s29c51004b
v1.0
2002
特点
512kx8-有点 组织机构
地址 访问权限 时间: 70, 90, 120 ns
单独 5v
±
10% 电源 供应
部门 擦除 模式 操作
16kb 引导 块 (可上锁)
1k 字节数 按 部门, 512 扇区
扇区-擦除 循环 时间: 10ms (最大值)
字节-写 循环 时间:
3
5
µ
s (最大值)
最小值 10,000 擦除-程序 循环次数
低 电源 耗散
活动 阅读 电流: 20ma (典型值)
活动 程序 电流: 30ma (典型值)
备用 电流:
100
µ
一个 (最大值)
硬件 数据 保护
低 v
抄送
程序 抑制 下面 3.5v
自定时 写/擦除 运营 与 结束-的-cy-
cle 检测
数据
轮询
切换 有点
cmos 和 ttl 接口
可用 入点
一个
版本
s29c51004t (顶部 引导 块)
软件包:
32-管脚 塑料 倾角
32-管脚 tsop-我
32-管脚 plcc
描述
这 s29c51004t/s29c51004b 是 一个 高 速度
524,288 x 8 有点 cmos 闪光灯 记忆. 写作 或
擦除 这 设备 是 完成了吗 与 一个 单独 5 电压
电源 供应. 这 设备 有 分开 芯片 启用
ce
, 写 启用 我们, 和 输出 启用 oe
控件 至 消除 总线 争用.
s29c51004t/s29c51004b 优惠 一个 combi-
国家 的: 引导 块 与 部门 擦除/写
模式. 这 结束 的 写/擦除 循环 是 检测到 由
数据
轮询 的 我/o
7
或 由 这 切换 有点 我/o
6
.
th
e?
s
29c51004t/s29c51004b 特点 一个
部门 擦除 操作 哪个 允许 每个 部门 至
是 已擦除 和 重新编程 无 影响
数据 已存储 入点 其他 扇区. 这 设备 也
支架 已满 芯片 擦除.
引导 块 体系结构 启用 这 设备 至
引导 从 一个 保护 部门 位于 要么 在 这
顶部 (s29c51004t) 或 这 底部 (s29c51004b).
全部 输入 和 产出 是 cmos 和 ttl
兼容.
the?s29c51004t/s29c51004b 是 理想 用于
应用程序 那 需要 updatable 代码 和 数据
存储.
echnologies
s
29c51004t/
s
29C51004B
4 兆位 (524,288 x 8
有点)
5
v
o
l
t
cmos 闪光灯 备忘录
y
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