SN74LVC1G86
单独的 2-输入 独有的-或者 门
sces222k – april 1999 – 修订 九月 2003
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
有 在 这 德州 器械
NanoStar
和 nanofree
包装
D
支持 5-v v
CC
运作
D
输入 接受 电压 至 5.5 v
D
最大值 t
pd
的 4 ns 在 3.3 v
D
低 电源 消耗量, 10-
µ
一个 最大值 i
CC
D
±
24-毫安 输出 驱动 在 3.3 v
D
I
止
支持 partial-电源-向下 模式
运作
D
获得-向上 效能 超过 100 毫安 每
jesd 78, 类 ii
D
静电释放 保护 超过 jesd 22
– 2000-v 人-身体 模型 (a114-一个)
– 200-v 机器 模型 (a115-一个)
– 1000-v charged-设备 模型 (c101)
描述/订货 信息
这个 单独的 2-输入 独有的-或者 门 是 设计 为 1.65-v 至 5.5-v v
CC
运作.
这 sn74lvc1g86 执行 这 boolean 函数 y = 一个
⊕
b 或者 y = 一个
b + ab在 积极的 逻辑.
一个 一般 应用 是 作 一个 真实/complement 元素. 如果 这 输入 是 低, 这 其它 输入 是 reproduced 在 真实
表格 在 这 输出. 如果 这 输入 是 高, 这 信号 在 这 其它 输入 是 reproduced inverted 在 这 输出.
订货 信息
T
一个
包装
†
可订购
部分 号码
顶-一侧
标记
‡
–40 c 至 85 C
NanoStar
– wcsp (dsbga)
0.17-mm 小 bump – yea
卷轴 的 3000
SN74LVC1G86YEAR
_ _ _ch_
–40 c 至 85 C
NanoFree
– wcsp (dsbga)
0.17-mm 小 bump – yza (铅-自由)
卷轴 的 3000
SN74LVC1G86YZAR
_ _ _ch_
–40 c 至 85 C
NanoStar
– wcsp (dsbga)
0.23-mm 大 bump – yep
卷轴 的 3000
SN74LVC1G86YEPR
_ _ _ch_
–40
°
c 至 85
°
C
NanoFree
– wcsp (dsbga)
0.23-mm 大 bump – yzp (铅-自由)
SN74LVC1G86YZPR
sot (sot-23) – dbv
卷轴 的 3000 SN74LVC1G86DBVR
c86_
sot (sot-23) – dbv
卷轴 的 250 SN74LVC1G86DBVT
c86_
sot (sc-70) – dck
卷轴 的 3000 SN74LVC1G86DCKR
ch_sot (sc-70) – dck
卷轴 的 250 SN74LVC1G86DCKT
ch_
†
包装 绘画, 标准 包装 数量, 热的 数据, 符号化, 和 pcb 设计 指导原则 是 有 在
www.德州仪器.com/sc/包装.
‡
dbv/dck: 这 真实的 顶-一侧 标记 有 一个 额外的 character 那 designates 这 组装/测试 站点.
yea/yza, yep/yzp: 这 真实的 顶-一侧 标记 有 三 preceding characters 至 denote 年, month, 和 sequence code,
和 一个 下列的 character 至 designate 这 组装/测试 站点. 管脚 1 identifier indicates 焊盘-bump composition
(1 = snpb,
•
= 铅-自由).
版权
2003, 德州 器械 组成公司的
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 avail能力, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
nanostar 和 nanofree 是 商标 的 德州 器械.
dbv 或者 dck 包装
(顶 视图)
1
2
3
5
4
一个
B
地
V
CC
Y
3
2
1
4
5
地
B
一个
Y
V
CC
yea, yep, yza, 或者 yzp 包装
(bottom 视图)
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
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