STP7NB30
STP7NB30FP
n - 频道 300V - 0.75
Ω
- 7A - 至-220/至-220fp
PowerMESH
场效应晶体管
■
典型 右
ds(开启)
= 0.75
Ω
■
极其 高 设计验证/dt 能力
■
100% 雪崩 已测试
■
很 低 内在的 电容
■
闸门 费用 最小化
描述
使用 这 最新 高 电压 MESH 覆盖
流程, 意法半导体 有 设计 一个
高级 家庭 的 电源 MOSFETs 与
未结清 演出. 这 新建 专利
待定 压条 布局 耦合 与 这 Company’s
专有 边缘 终止 结构, 给出 这
最低 rds(开启) 按 面积, 例外 雪崩
和 设计验证/dt 能力 和 unrivalled 闸门 费用
和 开关 特性.
应用程序
■
高 电流, 高 速度 开关
■
开关 模式 电源 供应品 (smps)
■
直流-交流电 转换器 用于 WELDING
设备 和 不间断
电源 供应品 和 电机 驱动器
内部 原理图 图表
8月 1999
至-220 至-220fp
1
2
3
1
2
3
绝对 最大值 额定值
symbol parameter value? 联合国它
stP7NB30 STP7NB30Fp
v
ds
排水管-source? 电压 (v
gs
= 0) 300 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
=20k
Ω
)
300 v
v
gs
g吃了-s来源 电压年龄
±
30 v
我
d
排水管 电流 (c连续不断) 在 t
c
=25
o
C74A
我
d
排水管 电流 (c连续不断) 在 t
c
=100
o
c4.42.5a
我
dm
(
•
) 排水管 电流 (脉冲) 28 28 一个
p
tot
t奥塔尔 Dissipat离子 在 t
c
=25
o
C8530W
Derating fac托尔 0.68 0.24 w/
o
c
设计验证/dt(
1
) peak 二极管 recovery 电压 坡度 5.5 5.5 v/ns
v
iso
绝缘 承受 电压 (直流)
2000 v
t
stg
存储 温度e? -65 至 150
o
c
t
j
最大值 操作正在处理 junc操作 脾气ature 150
o
c
(
•
) pulse 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (
1
)我
sd
≤
7a, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
,tj
≤
t
jmax
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
STP7NB30
STP7NB30FP
300 v
300 v
&指示灯;0.90
Ω
&指示灯;0.90
Ω
7A
4A
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