JIANGsuchangjiang 电子产品技术 一氧化碳., 有限公司
至-92 塑料-encapsulate 晶体管
8550ss
晶体管 pnp
特点
电源 耗散
p
厘米
:1W tamb=25
收集器 电流
我
厘米
:-1.5 一个
c分光镜-底座 电压
v
(br)CBO
:-40V
操作正在处理 和 存储 接合点 温度 范围
t
j
t
stg
:-55 至 +150
电气 特性 tamb=25 除非 否则 指定
p参数
符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器-底座 击穿 电压
v(br)
CBO
我c=-100 一个 我
e?
=0 -40 v
c分光镜-发射器 break向下 电压
v(br)
CEO
我
c
=-0.1ma , 我
B
=0 -25 v
发射器-底座 击穿 电压
v(br)
ebo
我
e?
=-100 一个 我
c
=0 -6 v
收集器 剪切-关 电流
我
CBO
v
cb
=-40v , 我
e?
=0 -0.1 一个
收集器 剪切-关 电流
我
CEO
v
ce
=-20v , 我
e?
=0 -0.1 一个
发射器 剪切-关 电流
我
EBO
v
eb
=-5v ,我
c
=0 -0.1 一个
h
铁 1
v
ce
=-1V, 我
c
=-100m一个 85 300
直流 电流 增益
h
铁 2
v
ce
=-1V, 我
c
=-800m一个 40
收集器-发射器 饱和度 电压
v
ce
(sat) 我
c
=-800 m,我
B
=-80m一个 -0.5 v
Base-发射器 饱和度电压
v
是
(sat) 我
c
=-800mA,我
B
=-80m一个 -1.2 v
过渡 频率
f
t
v
ce
=-10 v, 我
c
=-50mA
f =30MHz
100 MHz
分类 的h
铁(1)
等级
B c d
范围
85-160 120-200 160-300
123
至 92
1.发射器
2. 一氧化碳ll矢量图
3. 底座
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