smbt 3904s
半导体 集团
9月-07-19981
npn 硅 开关 晶体管 阵列
•
高 直流 电流 增益: 0.1ma 至 100ma
•
低 集电极-发射极 饱和度 电压
•
两个 ( 原电池) 内部 隔离 晶体管
与 高 匹配 入点 一个 包装
•
互补 类型: smbt 3906s (pnp)
VPS05604
6
3
1
5
4
2
类型 标记 订购 代码 packagepin 配置
1/4=e1/e2s1asmbt 3904s 2/5=b1/b2 3/6=c2/c1 sot-363q62702-a1201
最大值 额定值
UnitParameter 符号 值
集电极-发射极 电压
v
CEO
V40
60collector-底座 电压
v
CBO
发射器-底座 电压 6
v
EBO
直流 收集器 电流
我
c
ma200
250 mW
合计 电源 耗散,
t
s
= 115 °c
p
tot
°C
t
j
接合点 温度
150
存储 温度
t
stg
- 65...+150
热 电阻
接合点 环境
1)
右
thja
≤
275
k/w
接合点 - 焊接 点
右
thJS
≤
140
1) 包装 已安装 开启 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm
2
铜
半导体 集团 1 1998-11-01
: 点此下载
